器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
ESD9P50ST5G | ON Semiconductor(安森美) | ESD Suppressors / TVS Diodes UNIDIR LO CAP ESD DIODE | 下载 |
ESD9P5.0ST5G | ON Semiconductor(安森美) | 极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):1A 箝位电压:9.8V 击穿电压(最小值):5.8V 反向关断电压(典型值):5V (Max) | 下载 |
ESD9P5.0ST5G_13 | ON Semiconductor(安森美) | Transient Voltage Suppressors | 下载 |
极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):1A 箝位电压:9.8V 击穿电压(最小值):5.8V 反向关断电压(典型值):5V (Max)
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | ON Semiconductor |
是否无铅 | 不含铅 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
包装说明 | R-PDSO-F2 |
针数 | 2 |
制造商包装代码 | 514AB |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 1 week |
其他特性 | LOW CAPACITANCE |
最小击穿电压 | 5.8 V |
最大钳位电压 | 9.8 V |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-F2 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性 | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散 | 0.15 W |
认证状态 | Not Qualified |
参考标准 | AEC-Q101; IEC-61000-4-2 |
最大重复峰值反向电压 | 5 V |
最大反向电流 | 1 µA |
反向测试电压 | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | AVALANCHE |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 |
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