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ESD9P5.0ST5G

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器件名 厂商 描 述 功能
ESD9P50ST5G ON Semiconductor(安森美) ESD Suppressors / TVS Diodes UNIDIR LO CAP ESD DIODE 下载
ESD9P5.0ST5G ON Semiconductor(安森美) 极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):1A 箝位电压:9.8V 击穿电压(最小值):5.8V 反向关断电压(典型值):5V (Max) 下载
ESD9P5.0ST5G_13 ON Semiconductor(安森美) Transient Voltage Suppressors 下载
ESD9P5.0ST5G的相关参数为:

器件描述

极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):1A 箝位电压:9.8V 击穿电压(最小值):5.8V 反向关断电压(典型值):5V (Max)

参数
参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明R-PDSO-F2
针数2
制造商包装代码514AB
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
其他特性LOW CAPACITANCE
最小击穿电压5.8 V
最大钳位电压9.8 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.15 W
认证状态Not Qualified
参考标准AEC-Q101; IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压5 V
最大反向电流1 µA
反向测试电压5 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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