器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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EPC2023 | EPC | TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE | 下载 |
EPC20-23 | Regal Electronics | Power Transformer, 0.5VA | 下载 |
EPC2023ENG | EPC | TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE | 下载 |
EPC2023ENGR | EPC | TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE | 下载 |
对应元器件 | pdf文档资料下载 |
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型号 | EPC2023ENGR | EPC2023 | EPC2023ENG |
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描述 | TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE | TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE | TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE |
FET 类型 | N 沟道 | N 沟道 | N 沟道 |
技术 | GaNFET(氮化镓) | GaNFET(氮化镓) | GaNFET(氮化镓) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 30V | 30V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 60A(Ta) | 60A(Ta) | 60A(Ta) |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 1.3 毫欧 @ 40A,5V | 1.3 毫欧 @ 40A,5V | 1.3 毫欧 @ 40A,5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 20mA | 2.5V @ 20mA | 2.5V @ 20mA |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2300pF @ 15V | 2300pF @ 15V | 2300pF @ 15V |
安装类型 | 表面贴装 | 表面贴装 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | 模具 | 模具 | 模具 |
封装/外壳 | 模具 | 模具 | 模具 |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 5V | - | 5V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 20nC @ 5V | - | 20nC @ 5V |
Vgs(最大值) | +6V,-4V | - | +6V,-4V |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | - | -40°C ~ 150°C(TJ) |
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