器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
EPC2016C | EPC | TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE | 下载 |
EPC2016C | Efficient Power Conversion | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIE-6 | 下载 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIE-6
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Efficient Power Conversion |
包装说明 | UNCASED CHIP, R-XXUC-X6 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | ULTRA LOW RESISTANCE |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (ID) | 18 A |
最大漏源导通电阻 | 0.016 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-XXUC-X6 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 6 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | UNCASED CHIP |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 75 A |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UNSPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | GALLIUM NITRIDE |
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