器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
EM6K7T2R | ROHM(罗姆半导体) | 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 栅源极阈值电压:1V @ 1mA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 200mA,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:双N沟道 | 下载 |
漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 栅源极阈值电压:1V @ 1mA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 200mA,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:双N沟道
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ROHM(罗姆半导体) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 |
针数 | 6 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 16 weeks |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.2 A |
最大漏极电流 (ID) | 0.2 A |
最大漏源导通电阻 | 1.4 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-F6 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 6 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.15 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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