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EM6K1T2R

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器件名 厂商 描 述 功能
EM6K1T2R ROHM(罗姆半导体) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 栅源极阈值电压:1.5V @ 100uA 漏源导通电阻:8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:双N沟道 双N沟道,30V,100mA 下载
EM6K1T2R的相关参数为:

器件描述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 栅源极阈值电压:1.5V @ 100uA 漏源导通电阻:8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:双N沟道 双N沟道,30V,100mA

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.1 A
最大漏极电流 (ID)0.1 A
最大漏源导通电阻8 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-F6
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)150 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN COPPER
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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