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EL7104CN

eeworld网站中关于EL7104CN有5个元器件。有EL7104CN、EL7104CN等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
EL7104CN ELANTEC (Renesas ) 4 A BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDIP8 下载
EL7104CN Intersil ( Renesas ) Gate Drivers SINGLE MSFT DRVR 下载
EL7104CN Renesas(瑞萨电子) Buffer/Inverter Based MOSFET Driver 下载
EL7104CNZ Intersil ( Renesas ) 4 A BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDIP8 下载
EL7104CNZ Renesas(瑞萨电子) High Speed, Single Channel, Power MOSFET Driver; PDIP8, SOIC8; Temp Range: -40° to 85°C 下载
关于EL7104CN相关文档资料:
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EL7104CN 下载文档
EL7104CN资料比对:
型号 EL7104CNZ EL7104CN EL7104CNZ
描述 High Speed, Single Channel, Power MOSFET Driver; PDIP8, SOIC8; Temp Range: -40° to 85°C Buffer/Inverter Based MOSFET Driver 4 A BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDIP8
功能数量 1 1 1
端子数量 8 8 8
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) -
包装说明 DIP, DIP8,.3 DIP, -
Reach Compliance Code compliant unknown -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
高边驱动器 YES NO -
接口集成电路类型 BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER -
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8 -
长度 9.525 mm 9.525 mm -
最高工作温度 85 °C 85 °C -
最低工作温度 -40 °C -40 °C -
标称输出峰值电流 4 A 4 A -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装代码 DIP DIP -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 IN-LINE IN-LINE -
峰值回流温度(摄氏度) NOT APPLICABLE NOT SPECIFIED -
座面最大高度 5.334 mm 5.334 mm -
最大供电电压 16 V 16 V -
最小供电电压 4.5 V 4.5 V -
标称供电电压 15 V 15 V -
表面贴装 NO NO -
端子节距 2.54 mm 2.54 mm -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT APPLICABLE NOT SPECIFIED -
断开时间 0.025 µs 25 µs -
接通时间 0.025 µs 25 µs -
宽度 7.62 mm 7.62 mm -
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