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EGF1T-E3

在6个相关元器件中,EGF1T-E3有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
EGF1T-E3 Vishay(威世) DIODE 1 A, 1300 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, LEAD FREE, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal Diode 下载
EGF1TE3 Vishay(威世) DIODE 1 A, 1300 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, LEAD FREE, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal Diode 下载
EGF1T-E3-5CA Vishay(威世) 1 A, 1300 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA 下载
EGF1T-E3/5CA Vishay(威世) Rectifiers 1300 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated 下载
EGF1T-E3/67A Vishay(威世) rectifiers 1.0 amp 1300 volt 下载
EGF1T-E3-67A Vishay(威世) Rectifiers 1.0 Amp 1300 Volt 下载
EGF1T-E3的相关参数为:

器件描述

DIODE 1 A, 1300 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, LEAD FREE, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal Diode

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码DO-214BA
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-214BA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1300 V
最大反向恢复时间0.075 µs
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
Base Number Matches1
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