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EDZVT2R5.1B

在2个相关元器件中,EDZVT2R5.1B有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
EDZVT2R51B ROHM(罗姆半导体) Zener Diodes Diode Zener Sgl 5.09V 150mW 下载
EDZVT2R5.1B ROHM(罗姆半导体) 精度:- 稳压值(典型值):4.98V(Min)~5.2V(Max) 反向漏电流:2uA @ 1.5V 最大功率:150mW 5.1V 150mW 下载
EDZVT2R5.1B的相关参数为:

器件描述

精度:- 稳压值(典型值):4.98V(Min)~5.2V(Max) 反向漏电流:2uA @ 1.5V 最大功率:150mW 5.1V 150mW

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-F2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time12 weeks
其他特性HIGH RELIABILITY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗80 Ω
JESD-30 代码R-PDSO-F2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.15 W
标称参考电压5.1 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
最大电压容差2.16%
工作测试电流5 mA
Base Number Matches1
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