器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
E3M0065090D | Cree(科瑞) | Silicon Carbide Power MOSFET E-Series Automotive | 下载 |
E3M0065090D | Wolfspeed (Cree) | MOSFET 900V 65mOhms G3 SiC MOSFET | 下载 |
E3M0120090D | Cree(科瑞) | Silicon Carbide Power MOSFET E-Series Automotive | 下载 |
E3M0120090D | Wolfspeed (Cree) | MOSFET 900V 120mOhms G3 SiC MOSFET | 下载 |
E3M0120090J | Cree(科瑞) | Silicon Carbide Power MOSFET E-Series Automotive | 下载 |
E3M0280090D | Cree(科瑞) | Silicon Carbide Power MOSFET E-Series Automotive | 下载 |
E3M0280090D | Wolfspeed (Cree) | MOSFET 900V 280mOhms G3 SiC MOSFET | 下载 |
MOSFET 900V 65mOhms G3 SiC MOSFET
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Wolfspeed (Cree) |
产品种类 | MOSFET |
技术 | SiC |
安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
Id-连续漏极电流 | 35 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 84.5 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.7 V |
Vgs - 栅极-源极电压 | - 8 V, 18 V |
Qg-栅极电荷 | 30.4 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 125 W |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
封装 | Tube |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
正向跨导 - 最小值 | 13.6 S |
下降时间 | 9 ns |
上升时间 | 11 ns |
工厂包装数量 | 600 |
典型关闭延迟时间 | 23 ns |
典型接通延迟时间 | 35 ns |
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