器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
DTC143EKAT146 | ROHM(罗姆半导体) | 额定功率:200mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:NPN - 预偏压 | 下载 |
DTC143EKA-T146 | ROHM(罗姆半导体) | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-59, 3 PIN | 下载 |
DTC143EKAT147 | ROHM(罗姆半导体) | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | 下载 |
DTC143EKAT246 | ROHM(罗姆半导体) | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN | 下载 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-59, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ROHM(罗姆半导体) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | compliant |
Is Samacsys | N |
其他特性 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e1 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.2 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 250 MHz |
VCEsat-Max | 0.3 V |
Base Number Matches | 1 |
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