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DTC143EKAT

在4个相关元器件中,DTC143EKAT有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
DTC143EKAT146 ROHM(罗姆半导体) 额定功率:200mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:NPN - 预偏压 下载
DTC143EKA-T146 ROHM(罗姆半导体) Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-59, 3 PIN 下载
DTC143EKAT147 ROHM(罗姆半导体) Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon 下载
DTC143EKAT246 ROHM(罗姆半导体) Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN 下载
DTC143EKAT的相关参数为:

器件描述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-59, 3 PIN

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
VCEsat-Max0.3 V
Base Number Matches1
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