电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

DRV5021A1QDBZR

在1个相关元器件中,DRV5021A1QDBZR有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
DRV5021A1QDBZR Texas Instruments(德州仪器) 2.5V to 5.5V hall effect unipolar switch 3-SOT-23 -40 to 125 下载
DRV5021A1QDBZR的相关参数为:

器件描述

2.5V to 5.5V hall effect unipolar switch 3-SOT-23 -40 to 125

参数
参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明SOT-23, 3 PIN
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time8 weeks
其他特性IT HAVE SENSITIVITY OF PLUS OR MINUS 2.9 MT
主体宽度1.3 mm
主体高度1.12 mm
主体长度或直径2.92 mm
外壳PLASTIC
滞后1.1 mT
JESD-609代码e3
最大磁场范围4.4 mT
最小磁场范围0.4 mT
安装特点SURFACE MOUNT
最大工作电流2.8 mA
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流20 mA
输出接口类型2-WIRE INTERFACE
输出范围0-20mA
输出类型DIGITAL CURRENT
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状/形式RECTANGULAR
传感器/换能器类型MAGNETIC FIELD SENSOR,HALL EFFECT
最大供电电压5.5 V
最小供电电压2.5 V
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端接类型SOLDER
Base Number Matches1
小广播

技术资料推荐更多

论坛推荐更多

技术视频推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   1Q 4P 5N 5V 6I AD AE B9 GF PO QK R1 VP VS YY

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved