器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
DMN25D0UFA-7B | Diodes Incorporated | MOSFET 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.63W | 下载 |
DMN25D0UFA-7B | Diodes | MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN | 下载 |
MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN
参数名称 | 属性值 |
FET 类型 | N 沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 25V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 240mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.7V,4.5V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 4 欧姆 @ 400mA,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | .36nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | 8V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 27.9pF @ 10V |
功率耗散(最大值) | 280mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | X2-DFN0806-3 |
封装/外壳 | 3-XFDFN |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved