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DMN25D0UFA-7B

在2个相关元器件中,DMN25D0UFA-7B有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
DMN25D0UFA-7B Diodes Incorporated MOSFET 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.63W 下载
DMN25D0UFA-7B Diodes MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN 下载
DMN25D0UFA-7B的相关参数为:

器件描述

MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN

参数
参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)240mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.7V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)4 欧姆 @ 400mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值).36nC @ 4.5V
Vgs(最大值)8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)27.9pF @ 10V
功率耗散(最大值)280mW(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装X2-DFN0806-3
封装/外壳3-XFDFN
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