器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
CY62177EV18LL-70BAXI | Cypress(赛普拉斯) | 32-Mbit (2 M × 16 / 4 M × 8) Static RAM | 下载 |
CY62177EV18LL-70BAXIT | Cypress(赛普拉斯) | Standard SRAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, | 下载 |
CY62177EV18LL-70BAXIT | Infineon(英飞凌) | Standard SRAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, | 下载 |
对应元器件 | pdf文档资料下载 |
---|---|
CY62177EV18LL-70BAXI 、 CY62177EV18LL-70BAXIT | 下载文档 |
型号 | CY62177EV18LL-70BAXIT | |
---|---|---|
描述 | Standard SRAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, | |
是否Rohs认证 | 符合 | |
Objectid | 114250542 | |
Reach Compliance Code | compliant | |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A | |
最长访问时间 | 70 ns | |
I/O 类型 | COMMON | |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B48 | |
JESD-609代码 | e1 | |
内存密度 | 33554432 bit | |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | |
内存宽度 | 16 | |
端子数量 | 48 | |
字数 | 2097152 words | |
字数代码 | 2000000 | |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | |
最高工作温度 | 85 °C | |
最低工作温度 | -40 °C | |
组织 | 2MX16 | |
输出特性 | 3-STATE | |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | |
封装代码 | FBGA | |
封装等效代码 | BGA48,6X8,30 | |
封装形状 | RECTANGULAR | |
封装形式 | GRID ARRAY, FINE PITCH | |
并行/串行 | PARALLEL | |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | |
电源 | 1.8 V | |
认证状态 | Not Qualified | |
最大待机电流 | 0.000017 A | |
最小待机电流 | 1 V | |
最大压摆率 | 0.045 mA | |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | |
表面贴装 | YES | |
技术 | CMOS | |
温度等级 | INDUSTRIAL | |
端子面层 | TIN SILVER COPPER | |
端子形式 | BALL | |
端子节距 | 0.75 mm | |
端子位置 | BOTTOM |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved