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CY62177EV18LL-70BAXI

eeworld网站中关于CY62177EV18LL-70BAXI有3个元器件。有CY62177EV18LL-70BAXI、CY62177EV18LL-70BAXIT等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
CY62177EV18LL-70BAXI Cypress(赛普拉斯) 32-Mbit (2 M × 16 / 4 M × 8) Static RAM 下载
CY62177EV18LL-70BAXIT Cypress(赛普拉斯) Standard SRAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 下载
CY62177EV18LL-70BAXIT Infineon(英飞凌) Standard SRAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 下载
关于CY62177EV18LL-70BAXI相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
CY62177EV18LL-70BAXI 、 CY62177EV18LL-70BAXIT 下载文档
CY62177EV18LL-70BAXI资料比对:
型号 CY62177EV18LL-70BAXIT
描述 Standard SRAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48,
是否Rohs认证 符合
Objectid 114250542
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A
最长访问时间 70 ns
I/O 类型 COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B48
JESD-609代码 e1
内存密度 33554432 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM
内存宽度 16
端子数量 48
字数 2097152 words
字数代码 2000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -40 °C
组织 2MX16
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 FBGA
封装等效代码 BGA48,6X8,30
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260
电源 1.8 V
认证状态 Not Qualified
最大待机电流 0.000017 A
最小待机电流 1 V
最大压摆率 0.045 mA
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子面层 TIN SILVER COPPER
端子形式 BALL
端子节距 0.75 mm
端子位置 BOTTOM
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