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CSD25201W15

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器件名 厂商 描 述 功能
CSD25201W15 Texas Instruments(德州仪器) MOSFET P-Channel NexFET Pwr MOSFET 下载
CSD25201W15的相关参数为:

器件描述

MOSFET P-Channel NexFET Pwr MOSFET

参数
参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码BGA
包装说明GRID ARRAY, S-PBGA-B9
针数9
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
Samacsys DescriptionP-Channel Power MOSFET
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)4 A
最大漏极电流 (ID)4 A
最大漏源导通电阻0.07 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-PBGA-B9
元件数量1
端子数量9
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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