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BUK9212-55B

在8个相关元器件中,BUK9212-55B有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
BUK9212-55B Nexperia Power Field-Effect Transistor 下载
BUK9212-55B NXP(恩智浦) trenchmos logic level fet 下载
BUK9212-55B Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET 下载
BUK9212-55B118 NXP(恩智浦) MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS 下载
BUK9212-55B,118 Nexperia MOSFET N-CH 55V 75A DPAK 下载
BUK9212-55B,118 NXP(恩智浦) BUK9212-55B - N-channel TrenchMOS logic level FET DPAK 3-Pin 下载
BUK9212-55B_15 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) N-channel TrenchMOS logic level FET 下载
BUK9212-55B_15 NXP(恩智浦) N-channel TrenchMOS logic level FET 下载
BUK9212-55B的相关参数为:

器件描述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codenot_compliant
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)75 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
湿度敏感等级1
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)150 W
表面贴装YES
Base Number Matches1
小广播

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