电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

BSC0996NSATMA1

在1个相关元器件中,BSC0996NSATMA1有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
BSC0996NSATMA1 Infineon(英飞凌) MOSFET N-CHANNEL 34V 13A 8TDSON 下载
BSC0996NSATMA1的相关参数为:

器件描述

MOSFET N-CHANNEL 34V 13A 8TDSON

参数
参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)34V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)13A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)9 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)20nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1500pF @ 15V
功率耗散(最大值)2.5W(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装PG-TDSON-8
封装/外壳8-PowerTDFN
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   2W 3E 61 6S 8I LA LH M3 NR Q0 QG RP T7 WU XS

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved