器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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BSC0909NS | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS | 下载 |
BSC0909NSATMA1 | Infineon(英飞凌) | MOSFET LV POWER MOS | 下载 |
对应元器件 | pdf文档资料下载 |
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BSC0909NS 、 BSC0909NSATMA1 | 下载文档 |
型号 | BSC0909NSATMA1 | BSC0909NS |
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描述 | MOSFET LV POWER MOS | MOSFET N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS |
是否无铅 | 含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
针数 | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 10 mJ | 10 mJ |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 12 A | 12 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0091 Ω | 0.0091 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-F5 | R-PDSO-F5 |
JESD-609代码 | e3 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 5 | 5 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 176 A | 176 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | FLAT | FLAT |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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