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BR24S128FVT-WE2

在1个相关元器件中,BR24S128FVT-WE2有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
BR24S128FVT-WE2 ROHM(罗姆半导体) —— 下载
BR24S128FVT-WE2的相关参数为:

器件描述

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明ROHS COMPLIANT, TSSOP-8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time16 weeks
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DDDR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
长度4.4 mm
内存密度131072 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数16384 words
字数代码16000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织16KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LSSOP
封装等效代码TSSOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.25 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000002 A
最大压摆率0.0025 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE
Base Number Matches1
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