器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
BAT54SWT1G | Fairchild | 0.2 A, 30 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE | 下载 |
BAT54SWT1G | Rochester Electronics | 0.2A, 30V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, SOT-323, 3 PIN | 下载 |
BAT54SWT1G | ON Semiconductor(安森美) | 直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):800mV @ 100mA 30V,200mA,VF=800mV@100mA | 下载 |
BAT54SWT1G_16 | ON Semiconductor(安森美) | Dual Series Schottky Barrier Diodes | 下载 |
0.2A, 30V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, SOT-323, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
厂商名称 | Rochester Electronics |
零件包装代码 | SC-70 |
包装说明 | SOT-323, 3 PIN |
针数 | 3 |
制造商包装代码 | SOT323 |
Reach Compliance Code | unknown |
配置 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 3 |
最大输出电流 | 0.2 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
最大功率耗散 | 0.232 W |
认证状态 | COMMERCIAL |
最大重复峰值反向电压 | 30 V |
最大反向恢复时间 | 0.005 µs |
表面贴装 | YES |
技术 | SCHOTTKY |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
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