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AUIRF2805

eeworld网站中关于AUIRF2805有13个元器件。有AUIRF2805、AUIRF2805等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
AUIRF2805 ETC2 Low On-Resistance 下载
AUIRF2805 International Rectifier ( Infineon ) ADVANCED PLANAR TECHNOLOGY, LOW ON-RESISTANCE 下载
AUIRF2805 Infineon(英飞凌) Transistor Output Optocouplers 3000Vrms 50% CTR 下载
AUIRF2805L ETC2 Low On-Resistance 下载
AUIRF2805L International Rectifier ( Infineon ) Advanced Planar Technology 下载
AUIRF2805L Infineon(英飞凌) Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN 下载
AUIRF2805S ETC2 Low On-Resistance 下载
AUIRF2805S International Rectifier ( Infineon ) Advanced Planar Technology 下载
AUIRF2805S Infineon(英飞凌) MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 4.7mOhms 下载
AUIRF2805STRL International Rectifier ( Infineon ) Advanced Planar Technology 下载
AUIRF2805STRL Infineon(英飞凌) MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 4.7mOhms 下载
AUIRF2805STRR International Rectifier ( Infineon ) Advanced Planar Technology 下载
AUIRF2805STRR Infineon(英飞凌) MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 4.7mOhms 下载
关于AUIRF2805相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
AUIRF2805L 、 AUIRF2805STRL 、 AUIRF2805STRR 下载文档
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AUIRF2805S 、 AUIRF2805STRL 下载文档
AUIRF2805STRR 下载文档
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AUIRF2805 下载文档
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AUIRF2805资料比对:
型号 AUIRF2805L AUIRF2805STRL AUIRF2805STRR
描述 Advanced Planar Technology Advanced Planar Technology Advanced Planar Technology
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码 TO-262AA D2PAK D2PAK
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas) 380 mJ 380 mJ 380 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 55 V 55 V 55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 135 A 135 A 135 A
最大漏极电流 (ID) 75 A 75 A 75 A
最大漏源导通电阻 0.0047 Ω 0.0047 Ω 0.0047 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-262AA TO-263AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1
元件数量 1 1 1
端子数量 3 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 200 W 200 W 200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 700 A 700 A 700 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES YES
端子面层 MATTE TIN OVER NICKEL MATTE TIN OVER NICKEL MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1
外壳连接 - DRAIN DRAIN
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