电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

APT35GN120BG

在2个相关元器件中,APT35GN120BG有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
APT35GN120BG Microsemi Utilizing the latest Non-Punch Through (NPT) Field Stop technology 下载
APT35GN120BG ADPOW Insulated Gate Bipolar Transistor, 94A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN 下载
APT35GN120BG的相关参数为:

器件描述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 94A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)94 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE
JEDEC-95代码TO-247AD
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)465 ns
标称接通时间 (ton)46 ns
Base Number Matches1
小广播

技术资料推荐更多

论坛推荐更多

技术视频推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   8W 9U CT H1 HG KE KP N0 QA R1 SA sb TE UF UQ

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved