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APT27ZTR-G1

在2个相关元器件中,APT27ZTR-G1有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
APT27ZTR-G1 BCD Semi(Diodes) HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR 下载
APT27ZTR-G1 Diodes Fixed Inductors 4.7uH 0.2 1.7A shdSMD 4018 AEC-Q200 下载
APT27ZTR-G1的相关参数为:

器件描述

Fixed Inductors 4.7uH 0.2 1.7A shdSMD 4018 AEC-Q200

参数
参数名称属性值
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
制造商
Manufacturer
Diodes
RoHSDetails
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-92-3
Transistor PolarityNPN
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max450 V
Emitter- Base Voltage VEBO9 V
Collector-Emitter Saturation Voltage500 mV
Maximum DC Collector Current1.6 A
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Continuous Collector Current0.8 A
DC Collector/Base Gain hfe Min6 at 300 mA, 10 V
DC Current Gain hFE Max40 at 100 mA at 10 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
系列
Packaging
Ammo Pack
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
0.8 W
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2000
单位重量
Unit Weight
0.016000 oz
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