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APT20M20JFLL

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器件名 厂商 描 述 功能
APT20M20JFLL Microsemi Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 200V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOTOP-4 下载
APT20M20JFLL ADPOW Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 200V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOTOP-4 下载
APT20M20JFLL_04 ADPOW POWER MOS 7 FREDFET 下载
APT20M20JFLL的相关参数为:

器件描述

Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 200V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOTOP-4

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ADPOW
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
雪崩能效等级(Eas)2500 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)104 A
最大漏极电流 (ID)104 A
最大漏源导通电阻0.02 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PUFM-X4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)460 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)416 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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