器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
APT20M20JFLL | Microsemi | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 200V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOTOP-4 | 下载 |
APT20M20JFLL | ADPOW | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 200V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOTOP-4 | 下载 |
APT20M20JFLL_04 | ADPOW | POWER MOS 7 FREDFET | 下载 |
Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 200V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOTOP-4
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ADPOW |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | UL RECOGNIZED |
雪崩能效等级(Eas) | 2500 mJ |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 104 A |
最大漏极电流 (ID) | 104 A |
最大漏源导通电阻 | 0.02 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PUFM-X4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 460 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 416 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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