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AONS21357

在2个相关元器件中,AONS21357有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
AONS21357 AOS 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:7.8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W 类型:P沟道 下载
AONS21357 Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体) Power Field-Effect Transistor, 下载
AONS21357的相关参数为:

器件描述

Power Field-Effect Transistor,

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Reach Compliance Codeunknow
雪崩能效等级(Eas)76 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)36 A
最大漏极电流 (ID)36 A
最大漏源导通电阻0.0123 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-F5
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)48 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)144 A
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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