器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
AONS21357 | AOS | 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:7.8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W 类型:P沟道 | 下载 |
AONS21357 | Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体) | Power Field-Effect Transistor, | 下载 |
Power Field-Effect Transistor,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
Reach Compliance Code | unknow |
雪崩能效等级(Eas) | 76 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 36 A |
最大漏极电流 (ID) | 36 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0123 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-F5 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 5 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 48 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 144 A |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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