器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
70V3319S133BFI8 | IDT(艾迪悌) | Sram 256kx18 std-pwr 3.3V sync dual-port ram | 下载 |
70V3319S133BFI8 | IDT (Integrated Device Technology) | SRAM 256Kx18 STD-PWR 3.3V SYNC DUAL-PORT RAM | 下载 |
SRAM 256Kx18 STD-PWR 3.3V SYNC DUAL-PORT RAM
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Integrated Device Technology |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
零件包装代码 | CABGA |
包装说明 | LFBGA, BGA208,17X17,32 |
针数 | 208 |
制造商包装代码 | BF208 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
Samacsys Description | CHIP ARRAY BGA 15.0 X 15.0 MM X 0.8 MM P |
最长访问时间 | 15 ns |
其他特性 | PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | S-PBGA-B208 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 15 mm |
内存密度 | 4718592 bit |
内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度 | 18 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 2 |
端子数量 | 208 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 256KX18 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LFBGA |
封装等效代码 | BGA208,17X17,32 |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
电源 | 2.5/3.3,3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.7 mm |
最大待机电流 | 0.04 A |
最小待机电流 | 3.15 V |
最大压摆率 | 0.48 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.45 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.15 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn63Pb37) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 15 mm |
Base Number Matches | 1 |
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