电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

70V3319S133BFI8

在2个相关元器件中,70V3319S133BFI8有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
70V3319S133BFI8 IDT(艾迪悌) Sram 256kx18 std-pwr 3.3V sync dual-port ram 下载
70V3319S133BFI8 IDT (Integrated Device Technology) SRAM 256Kx18 STD-PWR 3.3V SYNC DUAL-PORT RAM 下载
70V3319S133BFI8的相关参数为:

器件描述

SRAM 256Kx18 STD-PWR 3.3V SYNC DUAL-PORT RAM

参数
参数名称属性值
Brand NameIntegrated Device Technology
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码CABGA
包装说明LFBGA, BGA208,17X17,32
针数208
制造商包装代码BF208
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
Samacsys DescriptionCHIP ARRAY BGA 15.0 X 15.0 MM X 0.8 MM P
最长访问时间15 ns
其他特性PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PBGA-B208
JESD-609代码e0
长度15 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量208
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装等效代码BGA208,17X17,32
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.7 mm
最大待机电流0.04 A
最小待机电流3.15 V
最大压摆率0.48 mA
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15 mm
Base Number Matches1
小广播

技术资料推荐更多

论坛推荐更多

技术视频推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   0K 0O 3Z 52 A0 AH AT AZ JA JT K7 L8 MJ QD ZH

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved