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6MBI75S-120-52

在5个相关元器件中,6MBI75S-120-52有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
6MBI75S-120 FUJI IGBT(1200V/75A) 下载
6MBI75S-120 Fuji Electric Co Ltd Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-21 下载
6MBI75S-120-01 FUJI IGBT Module 下载
6MBI75S-120-01 Fuji Electric Co Ltd Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel 下载
6MBI75S-120_10 FUJI IGBT MODULE 下载
6MBI75S-120-52的相关参数为:

器件描述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-21

参数
参数名称属性值
厂商名称Fuji Electric Co Ltd
零件包装代码MODULE
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X19
针数21
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)75 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X19
元件数量6
端子数量19
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)520 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)450 ns
标称接通时间 (ton)350 ns
VCEsat-Max2.6 V
Base Number Matches1
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