器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
6MBI150U4B-120 | FUJI | IGBT MODULE | 下载 |
6MBI150U4B-120 | Fuji Electric Co Ltd | Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 | 下载 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Fuji Electric Co Ltd |
零件包装代码 | MODULE |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35 |
针数 | 35 |
Reach Compliance Code | unknown |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 200 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
配置 | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X35 |
元件数量 | 6 |
端子数量 | 35 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 410 ns |
标称接通时间 (ton) | 320 ns |
Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved