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2sk2082

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器件名 厂商 描 述 功能
2SK2082-01 FUJI 9 A, 900 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 下载
2SK2082-01 Fuji Electric Co Ltd Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN 下载
2SK2082-01 ISC Fast Switching Speed 下载
2sk2082的相关参数为:

器件描述

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

参数
参数名称属性值
零件包装代码TO-247
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数2
Reach Compliance Codeunknow
其他特性AVALANCHE RATED
配置SINGLE
最小漏源击穿电压900 V
最大漏极电流 (ID)9 A
最大漏源导通电阻1.4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值150 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)320 ns
最大开启时间(吨)130 ns
Base Number Matches1
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