器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
2SJ416 | SANYO | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PCP, 3 PIN | 下载 |
2SJ416(JJ) | SANYO | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PCP, 3 PIN | 下载 |
2SJ416(JJ)TD | SANYO | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.65ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PCP, SC-62, 3 PIN | 下载 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PCP, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
Objectid | 1445017261 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 2 A |
最大漏极电流 (ID) | 2 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSSO-F3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 3.5 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 8 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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