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2sj416

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器件名 厂商 描 述 功能
2SJ416 SANYO Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PCP, 3 PIN 下载
2SJ416(JJ) SANYO Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PCP, 3 PIN 下载
2SJ416(JJ)TD SANYO Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.65ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PCP, SC-62, 3 PIN 下载
2sj416的相关参数为:

器件描述

Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PCP, 3 PIN

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1445017261
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2 A
最大漏极电流 (ID)2 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)3.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)8 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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