器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
2SJ347 | Toshiba(东芝) | P channel mos type (high speed switchING, anarog switch applications) | 下载 |
2SJ347_07 | Toshiba(东芝) | Silicon P Channel MOS Type | 下载 |
P channel mos type (high speed switchING, anarog switch applications)
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | 2-2H1B, SSM, 3 PIN |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最小漏源击穿电压 | 20 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.05 A |
最大漏源导通电阻 | 40 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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