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2SJ303

eeworld网站中关于2SJ303有6个元器件。有2SJ303、2SJ303等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
2SJ303 NEC ( Renesas ) SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE 下载
2SJ303 Renesas(瑞萨电子) 14 A, 60 V, 0.1 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ISOLATED TO-220, 3 PIN 下载
2SJ303 NEC(日电) Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ISOLATED TO-220, 3 PIN 下载
2SJ3031DS-3 KEXIN P-Channel Enhancement MOSFET 下载
2SJ303-AZ Renesas(瑞萨电子) 2SJ303-AZ 下载
2SJ303-AZ NEC(日电) Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ISOLATED TO-220, 3 PIN 下载
关于2SJ303相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
2SJ303 、 2SJ303-AZ 下载文档
2SJ303-AZ 下载文档
2SJ303 下载文档
2SJ303 下载文档
2SJ303资料比对:
型号 2SJ303 2SJ303-AZ
描述 14 A, 60 V, 0.1 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ISOLATED TO-220, 3 PIN 2SJ303-AZ
是否Rohs认证 不符合 符合
零件包装代码 TO-220AB MP-45F
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow compli
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 14 A 14 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 35 W 35 W
表面贴装 NO NO
Base Number Matches 1 1
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