电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

2SD1618T-TD-E

在2个相关元器件中,2SD1618T-TD-E有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
2SD1618T-TD-E SANYO Small Signal Bipolar Transistor 下载
2SD1618T-TD-E ON Semiconductor(安森美) Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 15V 下载
2SD1618T-TD-E的相关参数为:

器件描述

Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 15V

参数
参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数3
制造商包装代码419AU
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time2 weeks
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.7 A
集电极-发射极最大电压15 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)200
JEDEC-95代码TO-243AA
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e6
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1.3 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
Base Number Matches1
小广播

技术资料推荐更多

论坛推荐更多

技术视频推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   5B 6A 6B D9 FB GO GV H5 I1 IP KF KW M2 TD XI

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved