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2SC4669

eeworld网站中关于2SC4669有4个元器件。有2SC4669、2SC4669-4061等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
2SC4669 SHINDENGEN Switching Power Transistor(10A NPN) 下载
2SC4669-4061 SHINDENGEN Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, EPACK-3 下载
2SC4669-4071 SHINDENGEN Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, EPACK-3 下载
2SC4669-4101 SHINDENGEN Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin 下载
关于2SC4669相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
2SC4669-4101 、 2SC4669-4101 下载文档
2SC4669-4061 、 2SC4669-4071 下载文档
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2SC4669资料比对:
型号 2SC4669-4061 2SC4669-4071
描述 Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, EPACK-3 Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, EPACK-3
包装说明 EPACK-3 EPACK-3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 10 A 10 A
集电极-发射极最大电压 40 V 40 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 70 70
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 50 MHz 50 MHz
Base Number Matches 1 1
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