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2MBI100U

在7个相关元器件中,2MBI100U有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
2MBI100U4A-120 FUJI IGBT MODULE 下载
2MBI100U4A-120 Fuji Electric Co Ltd Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 下载
2MBI100U4H-170 FUJI IGBT MODULE 下载
2MBI100U4H-170 Fuji Electric Co Ltd Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-4 下载
2MBI100UA-120 - IGBT Module U-Series 下载
2MBI100UA-120 - IGBT Module U-Series 下载
2MBI100UA-120 Fuji Electric Co Ltd Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, M232, 7 PIN 下载
2MBI100U的相关参数为:

器件描述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

参数
参数名称属性值
零件包装代码MODULE
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数7
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)150 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码R-XUFM-X7
元件数量2
端子数量7
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)410 ns
标称接通时间 (ton)320 ns
Base Number Matches1
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