器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
28F512 | Intel(英特尔) | 512K(64Kx8)CMOS FLASH MEMORY | 下载 |
28F512A-T | YAGEO(国巨) | Flash, 64KX8, 120ns, PQCC32 | 下载 |
28F512F | YAGEO(国巨) | UVPROM, 64KX8, 120ns, CMOS, CDIP32, | 下载 |
28F512N | YAGEO(国巨) | Flash, 64KX8, 120ns, PDIP32, | 下载 |
型号 | 28F512N | 28F512A-T | 28F512F |
---|---|---|---|
描述 | Flash, 64KX8, 120ns, PDIP32, | Flash, 64KX8, 120ns, PQCC32 | UVPROM, 64KX8, 120ns, CMOS, CDIP32, |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最长访问时间 | 120 ns | 120 ns | 120 ns |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T32 | R-PQCC-J32 | R-CDIP-T32 |
内存密度 | 524288 bit | 524288 bit | 524288 bi |
内存集成电路类型 | FLASH | FLASH | UVPROM |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 32 | 32 | 32 |
字数 | 65536 words | 65536 words | 65536 words |
字数代码 | 64000 | 64000 | 64000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 64KX8 | 64KX8 | 64KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | YES | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | THROUGH-HOLE | J BEND | THROUGH-HOLE |
端子位置 | DUAL | QUAD | DUAL |
厂商名称 | YAGEO(国巨) | YAGEO(国巨) | - |
编程电压 | 12 V | 12 V | - |
类型 | NOR TYPE | NOR TYPE | - |
Base Number Matches | - | 1 | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved