器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
21N65M5 | ST(意法半导体) | 2.7 A, 650 V, 0.19 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 下载 |
2.7 A, 650 V, 0.19 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 5 |
最小击穿电压 | 650 V |
加工封装描述 | 8 X 8 MM, ROHS COMPLIANT, POWERFLAT-8 |
无铅 | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | SQUARE |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE |
表面贴装 | Yes |
端子形式 | NO LEAD |
端子涂层 | MATTE TIN |
端子位置 | DUAL |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
结构 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
壳体连接 | DRAIN |
元件数量 | 1 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
通道类型 | N-CHANNEL |
场效应晶体管技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | GENERAL PURPOSE POWER |
最大漏电流 | 2.7 A |
额定雪崩能量 | 400 mJ |
最大漏极导通电阻 | 0.1900 ohm |
最大漏电流脉冲 | 10.8 A |
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