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21N65

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器件名 厂商 描 述 功能
21N65M5 ST(意法半导体) 2.7 A, 650 V, 0.19 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 下载
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器件描述

2.7 A, 650 V, 0.19 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

参数
参数名称属性值
端子数量5
最小击穿电压650 V
加工封装描述8 X 8 MM, ROHS COMPLIANT, POWERFLAT-8
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状SQUARE
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式NO LEAD
端子涂层MATTE TIN
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接DRAIN
元件数量1
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
通道类型N-CHANNEL
场效应晶体管技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型GENERAL PURPOSE POWER
最大漏电流2.7 A
额定雪崩能量400 mJ
最大漏极导通电阻0.1900 ohm
最大漏电流脉冲10.8 A
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