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1PMT16AT1G

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器件名 厂商 描 述 功能
1PMT16AT1G ON Semiconductor(安森美) 200W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-216AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 457-04, POWERMITE, 2 PIN 下载
1PMT16AT1G的相关参数为:

器件描述

200W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-216AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 457-04, POWERMITE, 2 PIN

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-216AA
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 457-04, POWERMITE, 2 PIN
针数2
制造商包装代码CASE 457-04
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大击穿电压19.7 V
最小击穿电压17.8 V
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-216AA
JESD-30 代码S-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散200 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压16 V
最大重复峰值反向电压16 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
最大电压容差5%
工作测试电流1 mA
Base Number Matches1
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