器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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1N5811TR | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL | 下载 |
对应元器件 | pdf文档资料下载 |
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1N5811D3A 、 1N5811D3B | 下载文档 |
1N5811D3A 、 1N5811D3B | 下载文档 |
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型号 | 1N5811 | 1N5811C.TR |
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描述 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.7A, 150V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, G112, 2 PIN | Rectifier Diode, |
厂商名称 | SEMTECH | SEMTECH |
包装说明 | O-LALF-W2 | E-LALF-W2 |
Reach Compliance Code | compliant | unknown |
Is Samacsys | N | N |
应用 | SUPER FAST SOFT RECOVERY | SUPER FAST RECOVERY |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
配置 | SINGLE | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 0.875 V | 0.875 V |
JESD-30 代码 | O-LALF-W2 | E-LALF-W2 |
最大非重复峰值正向电流 | 125 A | 125 A |
元件数量 | 1 | 1 |
相数 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C |
最低工作温度 | -65 °C | -65 °C |
最大输出电流 | 1.7 A | 6 A |
封装主体材料 | GLASS | GLASS |
封装形状 | ROUND | ELLIPTICAL |
封装形式 | LONG FORM | LONG FORM |
最大重复峰值反向电压 | 150 V | 150 V |
最大反向电流 | 5 µA | 5 µA |
最大反向恢复时间 | 0.03 µs | 0.03 µs |
表面贴装 | NO | NO |
端子形式 | WIRE | WIRE |
端子位置 | AXIAL | AXIAL |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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