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1N5811/TR

eeworld网站中关于1N5811/TR有1个元器件。有1N5811TR等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
1N5811TR Microsemi DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL 下载
关于1N5811/TR相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
1N5811 、 1N5811 下载文档
1N5811D3A 、 1N5811D3B 下载文档
1N5811D3A 、 1N5811D3B 下载文档
1N5811 、 1N5811C.TR 下载文档
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1N5811D3A-JQR-B 下载文档
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1N5811/TR资料比对:
型号 1N5811 1N5811C.TR
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.7A, 150V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, G112, 2 PIN Rectifier Diode,
厂商名称 SEMTECH SEMTECH
包装说明 O-LALF-W2 E-LALF-W2
Reach Compliance Code compliant unknown
Is Samacsys N N
应用 SUPER FAST SOFT RECOVERY SUPER FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.875 V 0.875 V
JESD-30 代码 O-LALF-W2 E-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流 125 A 125 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
最大输出电流 1.7 A 6 A
封装主体材料 GLASS GLASS
封装形状 ROUND ELLIPTICAL
封装形式 LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 150 V 150 V
最大反向电流 5 µA 5 µA
最大反向恢复时间 0.03 µs 0.03 µs
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
Base Number Matches 1 1
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