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1N457TR

在5个相关元器件中,1N457TR有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
1N457TR Fairchild —— 下载
1N457.TR Fairchild DIODE 0.2 A, 70 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode 下载
1N457TR Rochester Electronics 0.2 A, 70 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, DO-35, 2 PIN 下载
1N457.TR Texas Instruments(德州仪器) 0.2A, 70V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 下载
1N457TR ON Semiconductor(安森美) DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35 下载
1N457TR的相关参数为:

器件描述

0.2A, 70V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流4 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压70 V
最大反向电流0.025 µA
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1
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