器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
1N457TR | Fairchild | —— | 下载 |
1N457.TR | Fairchild | DIODE 0.2 A, 70 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode | 下载 |
1N457TR | Rochester Electronics | 0.2 A, 70 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, DO-35, 2 PIN | 下载 |
1N457.TR | Texas Instruments(德州仪器) | 0.2A, 70V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 | 下载 |
1N457TR | ON Semiconductor(安森美) | DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35 | 下载 |
0.2A, 70V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | O-PALF-W2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1 V |
JEDEC-95代码 | DO-35 |
JESD-30 代码 | O-PALF-W2 |
JESD-609代码 | e0 |
最大非重复峰值正向电流 | 4 A |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
最大输出电流 | 0.2 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
最大功率耗散 | 0.5 W |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 70 V |
最大反向电流 | 0.025 µA |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
Base Number Matches | 1 |
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