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V58C2256804SBLS6

器件型号:V58C2256804SBLS6
器件类别:存储    存储   
厂商名称:ProMOS Technologies Inc
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器件描述

DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, MO-233, FBGA-60

参数
参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
生命周期Obsolete
厂商名称ProMOS Technologies Inc
零件包装代码BGA
包装说明TBGA, BGA60,9X12,40/32
针数60
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.24
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B60
JESD-609代码e0
长度13 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装等效代码BGA60,9X12,40/32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度2,4,8
最大待机电流0.025 A
子类别DRAMs
最大压摆率0.35 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8 mm
Base Number Matches1
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