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UZXMN2A02X8TA

器件型号:UZXMN2A02X8TA
器件类别:分立半导体    晶体管   
厂商名称:Diodes Incorporated
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器件描述

Small Signal Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MSOP-8

参数
厂商名称Diodes Incorporated
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW THRESHOLD
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)7.6 A
最大漏源导通电阻0.02 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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