电子工程世界电子工程世界电子工程世界

产品描述

搜索

SI9948AEY-E3

器件型号:SI9948AEY-E3
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:Vishay
厂商官网:http://www.vishay.com/
下载文档 在线购买

SI9948AEY-E3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SI9948AEY-E3 - - 点击查看 点击购买

器件描述

MOSFET 60V 2.6A 2.4W

参数
参数名称属性值
Manufacturer:Vishay
RoHS:Details
Technology:Si
Package / Case:SO-8
Tradename:TrenchFET
Packaging:Tube
Brand:Vishay / Siliconix
Height:1.75 mm
Length:4.9 mm
Series:SI9
Factory Pack Quantity:100
Width:3.9 mm
Unit Weight:0.006596 oz

SI9948AEY-E3器件文档内容

                                                                                                                                 Si9948AEY

                                                                                                                           Vishay Siliconix

                           Dual P-Channel 60-V                                (D-S), 175 °C MOSFET

PRODUCT       SUMMARY                                                            FEATURES

VDS (V)                     RDS(on) (Ω)                   ID (A)                 •  Halogen-free According to IEC 61249-2-21

                        0.17 at VGS = - 10 V              ± 2.6                     Definition

        - 60            0.26 at VGS = - 4.5 V             ± 2.1                  •  TrenchFET® Power MOSFETs

                                                                                 •  175 °C Maximum Junction Temperature

                                                                                 •  Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

                                                                                                S1                                   S2

                            SO-8

              S1        1                      8  D1

              G1        2                      7  D1                                G1                                           G2

              S2        3                      6  D2

              G2        4                      5  D2

                            Top View

                                                                                                D1                                   D2

Ordering  Information:  Si9948AEY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

                        Si9948AEY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free  and  Halogen-free)               P-Channel MOSFET                          P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA                               =    25  °C,   unless  otherwise    noted

Parameter                                                                           Symbol                      Limit                Unit

Drain-Source Voltage                                                                VDS                         - 60                 V

Gate-Source Voltage                                                                 VGS                         ± 20

Continuous Drain Current (TJ = 175 °C)a                        TA  = 25  °C         ID                          ± 2.6

                                                               TA  = 70  °C                                     ± 2.2

Pulsed Drain Current                                                                IDM                         ± 15                 A

Continuous Source Current (Diode Conduction)a                                       IS                          -2

Maximum Power Dissipationa                                     TA  = 25  °C         PD                          2.4

                                                               TA  = 70  °C                                     1.7                  W

Operating Junction and Storage Temperature Range                                    TJ, Tstg                 -  55 to 175            °C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter                                                                           Symbol          Typical            Maximum       Unit

Junction-to-Ambienta                                           t ≤ 10 s             RthJA                                  62.5      °C/W

                                                               Steady State                          93

Notes:

a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

For SPICE model information via the Worldwide Web: www.vishay.com/www/product/spice.htm.

Document Number: 70759                                                                                                               www.vishay.com

S09-1389-Rev. C, 20-Jul-09                                                                                                                             1
Si9948AEY

Vishay Siliconix

   SPECIFICATIONS TJ = 25 °C, unless otherwise noted

   Parameter                              Symbol                            Test Conditions                      Min.  Typ.  Max.   Unit

   Static

   Gate Threshold Voltage                 VGS(th)                           VDS = VGS, ID = - 250 µA             -1                                                   V

   Gate-Body Leakage                      IGSS                              VDS = 0 V, VGS = ± 20 V                          ± 100                                    nA

   Zero Gate Voltage Drain Current        IDSS                              VDS = - 60 V, VGS = 0 V                          -1                                       µA

                                                                       VDS  = - 60 V, VGS = 0 V, TJ = 55  °C                 - 10

   On-State Drain Currenta                ID(on)                            VDS ≤ - 5 V, VGS = - 10 V            - 15                                                 A

   Drain-Source On-State Resistancea      RDS(on)                           VGS = - 10 V, ID = - 2.6 A                 0.14  0.17                                     Ω

                                                                            VGS = - 4.5 V, ID = - 2.1 A                0.20  0.26

   Forward Transconductancea              gfs                               VDS = - 15 V, ID = - 2.6 A                 5.0                                            S

   Diode Forward Voltagea                 VSD                               IS = - 2.0 A, VGS = 0 V                          - 1.2                                    V

   Dynamicb

   Total Gate Charge                      Qg                                                                           10    20

   Gate-Source Charge                     Qgs                          VDS = - 30 V, VGS = - 10 V, ID = - 2.6 A        2.5                                            nC

   Gate-Drain Charge                      Qgd                                                                          1.8

   Turn-On Delay Time                     td(on)                                                                       8     20

   Rise Time                              tr                                VDD = - 30 V, RL = 30 Ω                    10    20

   Turn-Off Delay Time                    td(off)                      ID ≅ - 1 A, VGEN = - 10 V, Rg = 6 Ω             23    40                                       ns

   Fall Time                              tf                                                                           12    20

   Source-Drain Reverse Recovery    Time  trr                          IF = - 2.0 A, dI/dt = 100 A/µs                  50    90

Notes:

a. Pulse test; pulse width ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 2 %.

b. Guaranteed by design, not subject to production testing.

Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation

of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum

rating conditions for extended periods may affect device reliability.

www.vishay.com                                                                                                             Document Number: 70759

2                                                                                                                      S09-1389-Rev. C, 20-Jul-09
                                                                                                                                                                                                           Si9948AEY

                                                                                                                                                                                                       Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS                                                                25 °C, unless              otherwise  noted

                                                   15                                                                                                               15

                                                           VGS = 10 V thru 6 V

                                                                                                              5V                                                                                               TC = - 55 °C

                                                   12                                                                                                               12

                                                                                                                             (A)                                                                               25 °C

ID - Drain Current (A)                                                                                                                                                                                                           150  °C

                                                   9                                                                         ID - Drain Current                     9

                                                   6                                                          4V                                                    6

                                                   3                                                                                                                3

                                                                                                              3V

                                                   0                                                                                                                0

                                                        0  1           2            3                     4       5                                                      0        1          2         3         4           5            6

                                                                       VDS - Drain-to-Source Voltage (V)                                                                                VGS - Gate-to-Source Voltage (V)

                                                                       Output Characteristics                                                                                              Transfer Characteristics

                                                   0.4                                                                                                              800

                                                                       VGS = 4.5 V                                                                                                                         Ciss

(Ω)                                                0.3                                                                                                              600

RDS(on) - On-Resistance                            0.2                                                                       C - Capacitance (pF)                   400

                                                                                                    VGS = 10 V

                                                   0.1                                                                                                              200

                                                                                                                                                                                                 Coss

                                                                                                                                                                            Crss

                                                   0                                                                                                                0

                                                        0  3           6            9                     12      15                                                     0        10         20        30        40          50       60

                                                                       ID - Drain Current (A)                                                                                           VDS  - Drain-to-Source Voltage  (V)

                                                           On-Resistance vs. Drain Current                                                                                                       Capacitance

                                                   10                                                                                                               2.1

                                                           ID = 2.6 A                                                                                                       ID = 2.6 A

                         (V)                       8                                                                                                                1.8

                         - Gate-to-Source Voltage                               VDS = 30 V                                   RDS(on) - On-Resistance                                                       VGS = 10 V

                                                   6                                                                                                  (Normalized)  1.5

                                                   4                                                                                                                1.2

                         VGS                       2                                                                                                                0.9

                                                   0                                                                                                                0.6

                                                        0  2           4            6                     8       10                                                - 50    - 25        0    25  50        75    100    125      150  175

                                                                       Qg - Total Gate Charge (nC)                                                                                      TJ - Junction Temperature (°C)

                                                                       Gate Charge                                                                                          On-Resistance vs. Junction Temperature

Document Number: 70759                                                                                                                                                                                                www.vishay.com

S09-1389-Rev. C, 20-Jul-09                                                                                                                                                                                                                   3
Si9948AEY

Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS                                                                               25 °C,     unless    otherwise  noted

                                                      20                                                                                                           0.4

                                                                                                                                                                              ID = 2.6 A

                                                      10                                                                              RDS(on) - On-Resistance (Ω)  0.3

   IS - Source Current (A)                                                      TJ = 175 °C

                                                                                                                                                                   0.2

                                                                                                       TJ = 25   °C

                                                                                                                                                                   0.1

                                                      1                                                                                                               0

                                                             0             0.3      0.6          0.9             1.2       1.5                                           0    2                4            6             8             10

                                                                            VSD - Source-to-Drain Voltage (V)                                                                 VGS - Gate-to-Source Voltage (V)

                                                                   Source-Drain Diode Forward Voltage                                                                        On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage

                                                      0.8                                                                                                          120

                                                      0.6

                                                                                    ID = 250 µA                                                                    90

   (V)                                                0.4

   VGS(th) Variance                                   0.2                                                                             Power (W)                    60

                                                      0.0

                                                                                                                                                                   30

                                                      - 0.2

                                                      - 0.4                                                                                                           0

                                                      - 50         - 25     0   25      50   75       100  125        150  175                                        0.001   0.01        0.1           1         10         100        1000

                                                                                TJ - Temperature (°C)                                                                                             Time (s)

                                                                                Threshold Voltage                                                                                         Single Pulse Power

                                                                2

                                                                1

   Normalized Effective Transient                                     Duty Cycle = 0.5

                                   Thermal Impedance                  0.2                                                                                                                 Notes:

                                                                      0.1                                                                                                                 PDM

                                                             0.1

                                                                      0.05                                                                                                                          t1

                                                                                                                                                                                                        t2        t1

                                                                                                                                                                                          1. Duty Cycle, D =      t2

                                                                      0.02                                                                                                                2. Per Unit Base = RthJA =  93  °C/W

                                                                                                                                                                                          3. TJM -  TA = PDMZthJA(t)

                                                                      Single Pulse                                                                                                        4. Surface Mounted

                                                      0.01
                                                                10-4                10-3                   10-2                 10-1                                                                        10+2                  10+3
                                                                                                                                                                   1                10

                                                                                                                           Square Wave Pulse Duration                    (s)

                                                                                                 Normalized           Thermal Transient Impedance,                       Junction-to-Ambient

Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon

Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and

reliability data, see www.vishay.com/ppg?70759.

www.vishay.com                                                                                                                                                                                             Document Number: 70759

4                                                                                                                                                                                                       S09-1389-Rev. C, 20-Jul-09
                                                                                           Legal Disclaimer Notice

                 www.vishay.com                                                                                               Vishay

                                                          Disclaimer



ALL PRODUCT, PRODUCT SPECIFICATIONS AND DATA ARE SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE TO IMPROVE

RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN OR OTHERWISE.

Vishay Intertechnology, Inc., its affiliates, agents, and employees, and all persons acting on its or their behalf (collectively,

“Vishay”), disclaim any and all liability for any errors, inaccuracies or incompleteness contained in any datasheet or in any other

disclosure relating to any product.

Vishay makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of the products for any particular purpose or

the continuing production of any product. To the maximum extent permitted by applicable law, Vishay disclaims (i) any and all

liability arising out of the application or use of any product, (ii) any and all liability, including without limitation special,

consequential or incidental damages, and (iii) any and all implied warranties, including warranties of fitness for particular

purpose, non-infringement and merchantability.

Statements  regarding  the    suitability  of  products   for  certain     types  of  applications  are  based  on  Vishay’s  knowledge       of

typical requirements that are often placed on Vishay products in generic applications.                   Such statements are not binding

statements about the suitability of products for a particular application.            It is the customer’s responsibility to validate that a

particular product with the properties described in the product specification is suitable for use in a particular application.

Parameters provided in datasheets and / or specifications may vary in different applications and performance may vary over

time. All operating parameters, including typical parameters, must be validated for each customer application by the customer’s

technical experts.   Product specifications do not expand or otherwise modify Vishay’s terms and conditions of purchase,

including but not limited to the warranty expressed therein.

Except as expressly indicated in writing, Vishay products are not designed for use in medical, life-saving, or life-sustaining

applications or for any other application in which the failure of the Vishay product could result in personal injury or death.

Customers using or selling Vishay products not expressly indicated for use in such applications do so at their own risk.

Please  contact  authorized   Vishay       personnel  to  obtain  written  terms      and  conditions    regarding  products  designed   for

such applications.

No license, express or implied, by estoppel or otherwise, to any intellectual property rights is granted by this document

or by any conduct of Vishay.  Product names and markings noted herein may be trademarks of their respective owners.

© 2017 VISHAY INTERTECHNOLOGY, INC. ALL RIGHTS RESERVED

Revision: 08-Feb-17                                                     1                                           Document Number: 91000
Mouser Electronics

Authorized Distributor

Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information:

Vishay:

SI9948AEY-E3  SI9948AEY-T1  SI9948AEY-T1-E3  SI9948AEY  SI9948AEY-T1-GE3

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2021 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved