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RH1014MJ

产品描述

RH1014MJ放大器基础信息:

RH1014MJ是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP, DIP14,.3

RH1014MJ放大器核心信息:

RH1014MJ的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:0.045 µA他的最大平均偏置电流为0.25 µA

厂商给出的RH1014MJ的最大压摆率为2.8 mA,而最小压摆率为0.2 V/us。其最小电压增益为250000。

RH1014MJ的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。RH1014MJ的输入失调电压为900 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)RH1014MJ的宽度为:7.62 mm。

RH1014MJ的相关尺寸:

RH1014MJ拥有14个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:14

RH1014MJ放大器其他信息:

RH1014MJ采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低失调类放大器。RH1014MJ的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。其属于微功率放大器。

RH1014MJ不符合Rohs认证。其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T14。其对应的的JESD-609代码为:e0。RH1014MJ的封装代码是:DIP。

RH1014MJ封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。RH1014MJ封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。

产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小175KB,共8页
制造商Linear ( ADI )
官网地址http://www.analog.com/cn/index.html
器件替换:RH1014MJ替换放大器
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RH1014MJ概述

RH1014MJ放大器基础信息:

RH1014MJ是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP, DIP14,.3

RH1014MJ放大器核心信息:

RH1014MJ的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:0.045 µA他的最大平均偏置电流为0.25 µA

厂商给出的RH1014MJ的最大压摆率为2.8 mA,而最小压摆率为0.2 V/us。其最小电压增益为250000。

RH1014MJ的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。RH1014MJ的输入失调电压为900 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)RH1014MJ的宽度为:7.62 mm。

RH1014MJ的相关尺寸:

RH1014MJ拥有14个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:14

RH1014MJ放大器其他信息:

RH1014MJ采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低失调类放大器。RH1014MJ的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。其属于微功率放大器。

RH1014MJ不符合Rohs认证。其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T14。其对应的的JESD-609代码为:e0。RH1014MJ的封装代码是:DIP。

RH1014MJ封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。RH1014MJ封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。

RH1014MJ规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP14,.3
针数14
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.25 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.045 µA
标称共模抑制比86 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压900 µV
JESD-30 代码R-GDIP-T14
JESD-609代码e0
低-失调YES
微功率YES
负供电电压上限-22 V
标称负供电电压 (Vsup)-15 V
功能数量4
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5/+-15 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class S (Modified)
座面最大高度5.08 mm
最小摆率0.2 V/us
最大压摆率2.8 mA
供电电压上限22 V
标称供电电压 (Vsup)15 V
表面贴装NO
技术BIPOLAR
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量200k Rad(Si) V
最小电压增益250000
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

RH1014MJ相似产品对比

RH1014MJ RH1014MWB
描述 IC QUAD OP-AMP, 900 uV OFFSET-MAX, CDIP14, CERAMIC, DIP-14, Operational Amplifier IC QUAD OP-AMP, 900 uV OFFSET-MAX, CDFP14, METAL SEALED, BOTTOM BRAZED, FP-14, Operational Amplifier
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
零件包装代码 DIP DFP
包装说明 DIP, DIP14,.3 DFP, FL14,.25
针数 14 14
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.25 µA 0.25 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.045 µA 0.05 µA
标称共模抑制比 86 dB 86 dB
频率补偿 YES YES
最大输入失调电压 900 µV 900 µV
JESD-30 代码 R-GDIP-T14 R-CDFP-F14
JESD-609代码 e0 e0
低-失调 YES YES
微功率 YES YES
标称负供电电压 (Vsup) -15 V -15 V
功能数量 4 4
端子数量 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP DFP
封装等效代码 DIP14,.3 FL14,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5/+-15 V 5/+-15 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-STD-883 Class S (Modified) MIL-STD-883 Class S (Modified)
座面最大高度 5.08 mm 2.921 mm
最小摆率 0.2 V/us 0.2 V/us
最大压摆率 2.8 mA 2.8 mA
供电电压上限 22 V 22 V
标称供电电压 (Vsup) 15 V 15 V
表面贴装 NO YES
温度等级 MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE FLAT
端子节距 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
总剂量 200k Rad(Si) V 200k Rad(Si) V
最小电压增益 250000 250000
宽度 7.62 mm 6.35 mm
Base Number Matches 1 1

 
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