RH1014MJ放大器基础信息:
RH1014MJ是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP, DIP14,.3
RH1014MJ放大器核心信息:
RH1014MJ的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:0.045 µA他的最大平均偏置电流为0.25 µA
厂商给出的RH1014MJ的最大压摆率为2.8 mA,而最小压摆率为0.2 V/us。其最小电压增益为250000。
RH1014MJ的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。RH1014MJ的输入失调电压为900 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)RH1014MJ的宽度为:7.62 mm。
RH1014MJ的相关尺寸:
RH1014MJ拥有14个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:14
RH1014MJ放大器其他信息:
RH1014MJ采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低失调类放大器。RH1014MJ的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。其属于微功率放大器。
RH1014MJ不符合Rohs认证。其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T14。其对应的的JESD-609代码为:e0。RH1014MJ的封装代码是:DIP。
RH1014MJ封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。RH1014MJ封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
RH1014MJ放大器基础信息:
RH1014MJ是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP, DIP14,.3
RH1014MJ放大器核心信息:
RH1014MJ的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:0.045 µA他的最大平均偏置电流为0.25 µA
厂商给出的RH1014MJ的最大压摆率为2.8 mA,而最小压摆率为0.2 V/us。其最小电压增益为250000。
RH1014MJ的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。RH1014MJ的输入失调电压为900 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)RH1014MJ的宽度为:7.62 mm。
RH1014MJ的相关尺寸:
RH1014MJ拥有14个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:14
RH1014MJ放大器其他信息:
RH1014MJ采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低失调类放大器。RH1014MJ的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。其属于微功率放大器。
RH1014MJ不符合Rohs认证。其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T14。其对应的的JESD-609代码为:e0。RH1014MJ的封装代码是:DIP。
RH1014MJ封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。RH1014MJ封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP14,.3 |
针数 | 14 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.25 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.045 µA |
标称共模抑制比 | 86 dB |
频率补偿 | YES |
最大输入失调电压 | 900 µV |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 |
JESD-609代码 | e0 |
低-失调 | YES |
微功率 | YES |
负供电电压上限 | -22 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
功能数量 | 4 |
端子数量 | 14 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP14,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5/+-15 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-STD-883 Class S (Modified) |
座面最大高度 | 5.08 mm |
最小摆率 | 0.2 V/us |
最大压摆率 | 2.8 mA |
供电电压上限 | 22 V |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
表面贴装 | NO |
技术 | BIPOLAR |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
总剂量 | 200k Rad(Si) V |
最小电压增益 | 250000 |
宽度 | 7.62 mm |
Base Number Matches | 1 |
RH1014MJ | RH1014MWB | |
---|---|---|
描述 | IC QUAD OP-AMP, 900 uV OFFSET-MAX, CDIP14, CERAMIC, DIP-14, Operational Amplifier | IC QUAD OP-AMP, 900 uV OFFSET-MAX, CDFP14, METAL SEALED, BOTTOM BRAZED, FP-14, Operational Amplifier |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | DIP | DFP |
包装说明 | DIP, DIP14,.3 | DFP, FL14,.25 |
针数 | 14 | 14 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.25 µA | 0.25 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.045 µA | 0.05 µA |
标称共模抑制比 | 86 dB | 86 dB |
频率补偿 | YES | YES |
最大输入失调电压 | 900 µV | 900 µV |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 | R-CDFP-F14 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
低-失调 | YES | YES |
微功率 | YES | YES |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V |
功能数量 | 4 | 4 |
端子数量 | 14 | 14 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DIP | DFP |
封装等效代码 | DIP14,.3 | FL14,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | FLATPACK |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 5/+-15 V | 5/+-15 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-STD-883 Class S (Modified) | MIL-STD-883 Class S (Modified) |
座面最大高度 | 5.08 mm | 2.921 mm |
最小摆率 | 0.2 V/us | 0.2 V/us |
最大压摆率 | 2.8 mA | 2.8 mA |
供电电压上限 | 22 V | 22 V |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V |
表面贴装 | NO | YES |
温度等级 | MILITARY | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | FLAT |
端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
总剂量 | 200k Rad(Si) V | 200k Rad(Si) V |
最小电压增益 | 250000 | 250000 |
宽度 | 7.62 mm | 6.35 mm |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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