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MBRD660CTRLG

产品描述直流反向耐压(Vr):60V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):700mV @ 3A
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小66KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MBRD660CTRLG在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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MBRD660CTRLG概述

直流反向耐压(Vr):60V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):700mV @ 3A

MBRD660CTRLG规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明R-PSSO-G2
针数3
制造商包装代码369C
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
Samacsys DescriptionNULL
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用FAST RECOVERY POWER
最小击穿电压60 V
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流75 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压60 V
最大反向电流100 µA
反向测试电压60 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
Base Number Matches1
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