LM111D放大器基础信息:
LM111D是一款COMPARATOR。
LM111D放大器核心信息:
LM111D的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为:0.1 µA
提及放大器的敏感性,最适合的莫过于标称响应时间。LM111D仅需200 ns即可完成响应。厂商给出的LM111D的最大压摆率为11 mA.
LM111D的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。而其供电电源的范围为:+-15 V。LM111D的输入失调电压为4000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
LM111D的相关尺寸:
LM111D拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。
LM111D放大器其他信息:
其温度等级为:MILITARY。LM111D不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-XDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为:e0。LM111D的封装代码是:DIP。
LM111D封装的材料多为CERAMIC。而其封装形状为RECTANGULAR。LM111D封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。
LM111D放大器基础信息:
LM111D是一款COMPARATOR。
LM111D放大器核心信息:
LM111D的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为:0.1 µA
提及放大器的敏感性,最适合的莫过于标称响应时间。LM111D仅需200 ns即可完成响应。厂商给出的LM111D的最大压摆率为11 mA.
LM111D的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。而其供电电源的范围为:+-15 V。LM111D的输入失调电压为4000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
LM111D的相关尺寸:
LM111D拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。
LM111D放大器其他信息:
其温度等级为:MILITARY。LM111D不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-XDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为:e0。LM111D的封装代码是:DIP。
LM111D封装的材料多为CERAMIC。而其封装形状为RECTANGULAR。LM111D封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Raytheon Company |
Reach Compliance Code | unknown |
Is Samacsys | N |
放大器类型 | COMPARATOR |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.1 µA |
最大输入失调电压 | 4000 µV |
JESD-30 代码 | R-XDIP-T8 |
JESD-609代码 | e0 |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
电源 | +-15 V |
认证状态 | Not Qualified |
标称响应时间 | 200 ns |
最大压摆率 | 11 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
表面贴装 | NO |
技术 | BIPOLAR |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
Base Number Matches | 1 |
LM111D | LM111T | |
---|---|---|
描述 | Comparator, 1 Func, 4000uV Offset-Max, 200ns Response Time, BIPolar, CDIP8, | Comparator, 1 Func, 4000uV Offset-Max, 200ns Response Time, BIPolar, MBCY8, |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Raytheon Company | Raytheon Company |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
放大器类型 | COMPARATOR | COMPARATOR |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.1 µA | 0.1 µA |
最大输入失调电压 | 4000 µV | 4000 µV |
JESD-30 代码 | R-XDIP-T8 | O-MBCY-W8 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V |
功能数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC | METAL |
封装等效代码 | DIP8,.3 | CAN8,.2 |
封装形状 | RECTANGULAR | ROUND |
封装形式 | IN-LINE | CYLINDRICAL |
电源 | +-15 V | +-15 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
标称响应时间 | 200 ns | 200 ns |
最大压摆率 | 11 mA | 11 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V |
技术 | BIPOLAR | BIPOLAR |
温度等级 | MILITARY | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | WIRE |
端子位置 | DUAL | BOTTOM |
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