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HITJ0203MP

器件型号:HITJ0203MP
厂商名称:Renesas Electronics Corporation
厂商官网:https://www.renesas.com/
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器件描述

Silicon P Channel MOS FET Power Switching

HITJ0203MP器件文档内容

HITJ0203MP                                                                   Preliminary Datasheet

Silicon P Channel MOS FET                                                                        R07DS0475EJ0100
Power Switching                                                                                                 Rev.1.00

Features                                                                                                   Jun 22, 2011

Low on-resistance                                                           3
    RDS(on) = 142 m typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.1 A)                            D

Low drive current                                                        G               1. Source
High speed switching
2.5 V gate drive                                                      2                  2. Gate

Outline                                                                                   3. Drain

                      RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A                       S
                      (Package name: MPAK)                                   1

                                               3

                                                                    1
                                                             2

Note: Marking is "WG".

Absolute Maximum Ratings

                     Item                 Symbol                               Ratings                 (Ta = 25C)
                                                                                  20
Drain to source voltage                       VDSS                                                   Unit
Gate to source voltage                        VGSS                             +8 / 12               V
Drain current                                                                     2.1                V
Drain peak current                              ID                                6.0                A
Body - drain diode reverse drain current  ID(pulse) Note1                         2.1                A
Channel dissipation                                                               0.8                 A
                                               IDR                                150                 W
                                           Pch Note2                                                  C
                                                                             55 to +150              C
Channel temperature                       Tch

Storage temperature                       Tstg

Notes: 1. PW  10 s, duty cycle  1%

2. When using the glass epoxy board (FR-4: 40 x 40 x 1 mm)

R07DS0475EJ0100 Rev.1.00                                                                             Page 1 of 6
Jun 22, 2011
HITJ0203MP                                                               Preliminary

Electrical Characteristics

                    Item             Symbol     Min    Typ   Max   Unit                          (Ta = 25C)
Drain to source breakdown voltage    V(BR)DSS   20     --    --    V
Gate to source breakdown voltage     V(BR)GSS    +8     --    --    V             Test conditions
                                     V(BR)GSS   12     --    --    V    ID = 10 mA, VGS = 0
Gate to source leak current                      --     --   +10    A    IG = +100 A, VDS = 0
                                       IGSS      --     --   10    A    IG = 100 A, VDS = 0
Drain to source leak current           IGSS      --     --    1    A    VGS = +6 V, VDS = 0
Gate to source cutoff voltage          IDSS     0.4    --   1.4   V    VGS = 10 V, VDS = 0
Drain to source on state resistance   VGS(off)   --    142   180   m     VDS = 20 V, VGS = 0
                                      RDS(on)    --    216   300   m     VDS = 10 V, ID = 1 mA
Forward transfer admittance           RDS(on)   2.0    2.8    --    S    ID = 1.1 A, VGS = 4.5 VNote3
Input capacitance                       |yfs|    --    205    --    pF   ID = 1.1 A, VGS = 2.5 VNote3
Output capacitance                     Ciss      --     57    --    pF   ID = 1.1 A, VDS = 10 VNote3
Reverse transfer capacitance           Coss      --     39    --    pF   VDS = 10 V
Turn - on delay time                   Crss      --     14    --    ns   VGS = 0
Rise time                              td(on)    --     36    --    ns   f = 1 MHz
Turn - off delay time                            --     29    --    ns
Fall time                                tr      --     9     --    ns   ID = 1.1 A
Total gate charge                      td(off)   --    2.6    --    nC   VGS = 4.5 V
Gate to source charge                            --    0.4    --    nC   RL = 9
Gate to drain charge                     tf      --    1.1    --    nC   Rg = 4.7
Body - drain diode forward voltage      Qg       --   0.85  1.1   V
Notes: 3. Pulse test                   Qgs                               VDD = 10 V
                                       Qgd                               VGS = 4.5 V
                                        VDF                              ID = 2.1A
                                                                         IF = 2.1 A, VGS = 0 Note3

R07DS0475EJ0100 Rev.1.00                                                 Page 2 of 6
Jun 22, 2011
HITJ0203MP                                                                                                                                                                             Preliminary

Main Characteristics                                                                                                                            Maximum Safe Operation Area

                            Maximum Channel Power                                                                                         100
                                 Dissipation Curve                                                                                         10

                     1

Channel Dissipation Pch (W)  0.8                                                                                                                Operation in this area
                                                                                                                                                is limited by RDS(on)

                                                                                              Drain Current ID (A)                                                                     100 s

                             0.6                                                                                                                                      PW 1 ms10 ms
                                                                                                                                                                   DC Ope=ra1ti0o0nms
                             0.4                                                                                                            1
                                                                                                                                          0.1
                             0.2

                                                                                                                                                Ta = 25C

                             0    0  50                 100           150                                                                            1 Shot Pulse
                                                                                                                                          0.01

                                                                                                                                          0.01 0.1               1    10 100

                                    Ambient Temperature Ta (C)                                                                                 Drain to Source Voltage VDS (V)
                             *When using the glass epoxy board (FR-4: 40 40 1 mm)

                                      Typical Output Characteristics                                                                          Typical Transfer Characteristics (1)

                                  10 V 5 V                                                                                              6
                                                                                                                                                VDS = 10 V
                             6                 3.0 V
                                                                                                                                          5 Pulse Test
                                                                2.8 V

                             5            3.2 V

Drain Current ID (A)                 3.4 V                     2.6 V                        Drain Current ID (A)

                             4      3.6 V                     2.4 V                                                                    4
                                                                                                                                          3
                                                                                      2.2 V
                             3

                                                                2.0 V

                             2                                 1.8 V                                                                    2

                             1                                 1.6 V                                                                    1 Tc = 75C

                                                   Pulse Test                                                                                                      25C

                             0                     Tc = 25C VGS = 0 V                                                                                                25C
                                                                                                                                          0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
                                  0  2 4 6 8 10

                                     Drain to Source Voltage VDS (V)                                                                            Gate to Source Voltage VGS (V)

                                   Typical Transfer Characteristics (2)                       Gate to Source Cutoff Voltage VGS(off) (V)        Gate to Source Cutoff Voltage vs.
                                                                                                                                                        Case Temperature
                               1
                                     VDS = 10 V                                                                                          1.5
                                     Pulse Test
                                                                                                                                                                         VDS = 10 V
                             0.1                                                                                                                                        Pulse Test

Drain Current ID (A)         0.01   Tc = 75C                                                                                              1
                                                                                                                                                                                    ID = 10 mA
                             0.001  25C
                                                                                                                                                                                            1 mA
                                                                                                                                          0.5

                                                                                                                                                                                         0.1 mA

                                                   25C

0.0001                                                                                                                                   0
                                  0  0.5          1     1.5        2                                                                  25 0 25 50 75 100 125 150

                                     Gate to Source Voltage VGS (V)                                                                             Case Temperature Tc (C)

R07DS0475EJ0100 Rev.1.00                                                                                                                                                               Page 3 of 6
Jun 22, 2011
HITJ0203MP                                                                                                                                                                                    Preliminary

Drain to Source Saturation Voltage VDS(on) (mV)  Drain to Source Saturation Voltage vs.                                                              Static Drain to Source on State Resistance
                                                           Gate to Source Voltage                                                                                      vs. Drain Current

                                                 800                                                    Drain to Source on State Resistance        1000
                                                                                                            RDS(on) (m)
                                                                                       Pulse Test
                                                                                       Tc = 25C

                                                 600                                                                                                       VGS = 2.5 V
                                                                                                                                                    100
                                                 400                                                                                                                                       4.5 V
                                                                                                                                                                                            10 V

                                                 200                                        2.1 A
                                                                                             1.1 A
                                                                                                                                                            Pulse Test
                                                                                             0.5 A                                                         Tc = 25C

                                                 0    0.2 A                                                                                       10

                                                 0     2         4      6              8 10                                                        0.1             1                10

                                                       Gate to Source Voltage VGS (V)                                                                          Drain Current ID (A)

                                                 Static Drain to Source on State Resistance                                                         Static Drain to Source on State Resistance
                                                              vs. Case Temperature                                                                               vs. Case Temperature

Drain to Source on State Resistance              400                                   ID = 2.1 A       Drain to Source on State Resistance        220                       ID = 2.1 A
   RDS(on) (m)                                                                                              RDS(on) (m)                                     Pulse Test
                                                          Pulse Test
                                                          VGS = 2.5 V                                                                              200 VGS = 4.5 V
                                                 350

                                                                               1.1 A                                                                                               1.1 A
                                                 300                                                                                                180

                                                                                                                                                    160

                                                 250

                                                                                                                                                    140

                                                                                     0.5 A                                                                           0.5 A
                                                                                                                                                               0.2 A
                                                 200               0.2 A                                                                           120        25 50 75 100 125 150

                                                 150                                                                                                100
                                                   25 0 25 50 75 100 125 150                                                                          25 0

                                                          Case Temperature Tc (C)                                                                          Case Temperature Tc (C)

                                                       Forward Transfer Admittance vs.                   Zero Gate Voltage Drain current IDSS (nA)          Zero Gate Voltage Drain current vs.
                                                                   Drain Current                                                                                      Case Temperature

Forward Transfer Admittance |yfs| (S)            10                     25C                                                                       10000  Pulse Test
                                                      Pulse Test                                                                                     1000
                                                      VDS = 10 V                                                                                           VGS = 0 V
                                                                                                                                                            VDS = 20 V

                                                   1                                                                                                100
                                                                               25C
                                                                                                                                                    10
                                                                   Tc = 75C
                                                 0.1

                                                 0.01                                                                                                 1
                                                 0.01         0.1                    1           10                                             0.1

                                                               Drain Current ID (A)                                                                    25 0 25 50 75 100 125 150
                                                                                                                                                             Case Temperature Tc (C)

R07DS0475EJ0100 Rev.1.00                                                                                                                                                                    Page 4 of 6
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                                       Dynamic Input Characteristics                                                                           Switching Characteristics

Drain to Source Voltage VDS (V)  0                VDS                                      0  Gate to Source Voltage VGS (V)             1000
                                                                                                           Switching Time t (ns)                  VDD = 10 V

                                                                                                                                               VGS = 4.5 V

                                                             VDD = 20 V                                                                       Rg = 4.7                     tr
                                                                                     4
                                 10                                                                                                           PW = 5 s
                                              5 V                  10 V
                                             10 V                      5 V                                                             100 Tc = 25C                          tf
                                                                                     8
                                 20 VDD = 20 V                                                                                               td(off)
                                                                   VGS
                                                                                     12                                                                            td(on)
                                                                                                                                         10

                                 30   ID = 2.1 A
                                       Tc = 25C

                                                                                                                                         1

                                       01 2 3 4 56                                                                                       0.1                  1                        10
                                                Gate Charge Qg (nc)
                                                                                                                                               Drain Current ID (A)

                                       Typical Capacitance vs.                                                                                        Input Capacitance vs.
                                       Drain to Source Voltage                                                                                       Gate to Source Voltage

                                 1000                                                                                                    400

Ciss, Coss, Crss (pF)                                                                Ciss     Ciss (pF)                                  380

                                 100                                                                                                     360
                                                                                    Coss
                                                                                                                                         340
                                                                      Crss
                                                                                                                                         320
                                       VGS = 0 V                                                                                         300 VDS = 0 V

                                       f = 1 MHz                                                                                                   f = 1 MHz
                                                                                                                                         280
                                 10
                                                                                                                                            10 8 6 4 2 0 2 4 6 8 10
                                 0    5               10      15  20                                                                       Gate to Source Voltage VGS (V)

                                       Drain to Source Voltage VDS (V)

Reverse Drain Current IDR (A)              Reverse Drain Current vs.                          Body-Drain Diode Forward Voltage VSDF (V)      Body-Drain Diode Forward Voltage vs.
                                            Source to Drain Voltage                                                                                       Case Temperature

                                 6                                                                                                      0.6
                                                                           Pulse Test                                                             VGS = 0
                                                                           Tc = 25C

                                 4                                                                                                      0.5                               ID = 10 mA
                                                  10V                                                                                   0.4

                                 2

                                       5V                                                                                               0.3                               1 mA
                                                        5, 10 V

                                 0                      VGS = 0 V                                                                        0.2
                                                                                                                                              25 50 75 100 125 150
                                       0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
                                                                                                                                                   Case Temperature Tc (C)
                                       Source to Drain Voltage VSD (V)

R07DS0475EJ0100 Rev.1.00                                                                                                                                                            Page 5 of 6
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HITJ0203MP                                                                                                                Preliminary

Package Dimensions

Package Name     JEITA Package Code  RENESAS Code           Previous Code MASS[Typ.]
      MPAK                SC-59A
                                     PLSP0003ZB-A MPAK(T) / MPAK(T)V 0.011g
                              D
                      e              A                         Q                      c

                                     E HE

                                                            L  L1                     LP

              A  A                                                 A3

                    xM S A           b                                       e                                     Reference Dimension in Millimeters

                                            A2 A                                                                   Symbol Min Nom Max

                                            A1                                                                     A   1.0        1.3
                                                         S
                                                                                                                   A1  0          0.1

                                                                                                                   A2  1.0 1.1 1.2

                                                                                                                   A3       0.25

                                                                                                                   b 0.35 0.4 0.5

                                                                                                                   c   0.1 0.16 0.26

                                                                                                               e1  D   2.7        3.1

                                                               I1                                                  E 1.35 1.5 1.65
                                                                         b2
                                                                                                                   e        0.95
                                                                      Pattern of terminal position areas
                                b                                                                                  HE 2.2 2.8 3.0
                 c
                                                                                                                   L 0.35         0.75
                        A-A Section
                                                                                                                   L1 0.15        0.55

                                                                                                                   LP 0.25        0.65

                                                                                                                   x              0.05

                                                                                                                   b2             0.55

                                                                                                                   e1       1.95

                                                                                                                   I1             1.05

                                                                                                                   Q        0.3

Ordering Information

Orderable Part Number                Quantity                                             Shipping Container

HITJ0203MPTL-HQ        3000 pcs.                               178 mm reel, 8 mm Emboss taping

Note: This product is designed for consumer use and not for automotive.

R07DS0475EJ0100 Rev.1.00                                                                                                    Page 6 of 6
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                                                        Notice

1. All information included in this document is current as of the date this document is issued. Such information, however, is subject to change without any prior notice. Before purchasing or using any Renesas
      Electronics products listed herein, please confirm the latest product information with a Renesas Electronics sales office. Also, please pay regular and careful attention to additional and different information to
      be disclosed by Renesas Electronics such as that disclosed through our website.

2. Renesas Electronics does not assume any liability for infringement of patents, copyrights, or other intellectual property rights of third parties by or arising from the use of Renesas Electronics products or
      technical information described in this document. No license, express, implied or otherwise, is granted hereby under any patents, copyrights or other intellectual property rights of Renesas Electronics or
      others.

3. You should not alter, modify, copy, or otherwise misappropriate any Renesas Electronics product, whether in whole or in part.
4. Descriptions of circuits, software and other related information in this document are provided only to illustrate the operation of semiconductor products and application examples. You are fully responsible for

      the incorporation of these circuits, software, and information in the design of your equipment. Renesas Electronics assumes no responsibility for any losses incurred by you or third parties arising from the
      use of these circuits, software, or information.
5. When exporting the products or technology described in this document, you should comply with the applicable export control laws and regulations and follow the procedures required by such laws and
      regulations. You should not use Renesas Electronics products or the technology described in this document for any purpose relating to military applications or use by the military, including but not limited to
      the development of weapons of mass destruction. Renesas Electronics products and technology may not be used for or incorporated into any products or systems whose manufacture, use, or sale is
      prohibited under any applicable domestic or foreign laws or regulations.
6. Renesas Electronics has used reasonable care in preparing the information included in this document, but Renesas Electronics does not warrant that such information is error free. Renesas Electronics
      assumes no liability whatsoever for any damages incurred by you resulting from errors in or omissions from the information included herein.
7. Renesas Electronics products are classified according to the following three quality grades: "Standard", "High Quality", and "Specific". The recommended applications for each Renesas Electronics product
      depends on the product's quality grade, as indicated below. You must check the quality grade of each Renesas Electronics product before using it in a particular application. You may not use any Renesas
      Electronics product for any application categorized as "Specific" without the prior written consent of Renesas Electronics. Further, you may not use any Renesas Electronics product for any application for
      which it is not intended without the prior written consent of Renesas Electronics. Renesas Electronics shall not be in any way liable for any damages or losses incurred by you or third parties arising from the
      use of any Renesas Electronics product for an application categorized as "Specific" or for which the product is not intended where you have failed to obtain the prior written consent of Renesas Electronics.
      The quality grade of each Renesas Electronics product is "Standard" unless otherwise expressly specified in a Renesas Electronics data sheets or data books, etc.
     "Standard": Computers; office equipment; communications equipment; test and measurement equipment; audio and visual equipment; home electronic appliances; machine tools;

                          personal electronic equipment; and industrial robots.
     "High Quality": Transportation equipment (automobiles, trains, ships, etc.); traffic control systems; anti-disaster systems; anti-crime systems; safety equipment; and medical equipment not specifically

                          designed for life support.
     "Specific": Aircraft; aerospace equipment; submersible repeaters; nuclear reactor control systems; medical equipment or systems for life support (e.g. artificial life support devices or systems), surgical

                          implantations, or healthcare intervention (e.g. excision, etc.), and any other applications or purposes that pose a direct threat to human life.
8. You should use the Renesas Electronics products described in this document within the range specified by Renesas Electronics, especially with respect to the maximum rating, operating supply voltage

      range, movement power voltage range, heat radiation characteristics, installation and other product characteristics. Renesas Electronics shall have no liability for malfunctions or damages arising out of the
      use of Renesas Electronics products beyond such specified ranges.
9. Although Renesas Electronics endeavors to improve the quality and reliability of its products, semiconductor products have specific characteristics such as the occurrence of failure at a certain rate and
      malfunctions under certain use conditions. Further, Renesas Electronics products are not subject to radiation resistance design. Please be sure to implement safety measures to guard them against the
      possibility of physical injury, and injury or damage caused by fire in the event of the failure of a Renesas Electronics product, such as safety design for hardware and software including but not limited to
      redundancy, fire control and malfunction prevention, appropriate treatment for aging degradation or any other appropriate measures. Because the evaluation of microcomputer software alone is very difficult,
      please evaluate the safety of the final products or system manufactured by you.
10. Please contact a Renesas Electronics sales office for details as to environmental matters such as the environmental compatibility of each Renesas Electronics product. Please use Renesas Electronics
      products in compliance with all applicable laws and regulations that regulate the inclusion or use of controlled substances, including without limitation, the EU RoHS Directive. Renesas Electronics assumes
      no liability for damages or losses occurring as a result of your noncompliance with applicable laws and regulations.
11. This document may not be reproduced or duplicated, in any form, in whole or in part, without prior written consent of Renesas Electronics.
12. Please contact a Renesas Electronics sales office if you have any questions regarding the information contained in this document or Renesas Electronics products, or if you have any other inquiries.
(Note 1) "Renesas Electronics" as used in this document means Renesas Electronics Corporation and also includes its majority-owned subsidiaries.
(Note 2) "Renesas Electronics product(s)" means any product developed or manufactured by or for Renesas Electronics.

SALES OFFICES                                                                                                                            http://www.renesas.com

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2880 Scott Boulevard Santa Clara, CA 95050-2554, U.S.A.
Tel: +1-408-588-6000, Fax: +1-408-588-6130

Renesas Electronics Canada Limited
1101 Nicholson Road, Newmarket, Ontario L3Y 9C3, Canada
Tel: +1-905-898-5441, Fax: +1-905-898-3220

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7th Floor, Quantum Plaza, No.27 ZhiChunLu Haidian District, Beijing 100083, P.R.China
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13F, No. 363, Fu Shing North Road, Taipei, Taiwan
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