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BTS6510

器件型号:BTS6510
厂商名称:Infineon
厂商官网:http://www.infineon.com/
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器件描述

Smart Highside High Current Power Switch

BTS6510器件文档内容

                                                                                    Data Sheet BTS6510

Smart Highside High Current Power Switch

Reversave                                              Product Summary                   Vbb(on)     5.0 ... 34 V
                                                       Operating voltage                 RON
Reverse battery protection by self turn on of        On-state resistance               IL(nom)           6.0 m
                                                       Noinal current                    IL(ISO)            17 A
  power MOSFET                                         Load current (ISO)                IL(SC)             70 A
                                                       Short circuit current limitation  IL : IIS         130 A
Features                                               Current sense ratio                            14 000

Overload protection                                                            TO 220-7
Current limitation
Short circuit protection
Overtemperature protection
Overvoltage protection (including load dump)
Clamp of negative voltage at output
Fast deenergizing of inductive loads 1)
Low ohmic inverse current operation
Diagnostic feedback with load current sense
Open load detection via current sense
Loss of Vbb protection2)
Electrostatic discharge (ESD) protection

Application                                                                                     7
                                                                                    1
Power switch with current sense diagnostic
                                                                                         SM D
  feedback for 12 V and 24 V DC grounded loads
Most suitable for loads with high inrush current

  like lamps and motors; all types of resistive and inductive loads
Replaces electromechanical relays, fuses and discrete circuits

General Description

N channel vertical power FET with charge pump, current controlled input and diagnostic feedback with load
current sense, integrated in Smart SIPMOS chip on chip technology. Providing embedded protective functions.

                          Voltage       Overvoltage Current   Gate         R bb                  4 & Tab
                          source
                                        protection     limit  protection                 + Vbb

                          Voltage       Charge pump             Limit for                 OUT 1,2,6,7
                          sensor        Level shifter         unclamped
                                                               ind. loads                             IL
                                          Rectifier                        Current
                                                                Output     Sense                               Load
                                                               Voltage
      3 IN                Logic                                detection

                    ESD

I IN                                                   Temperature
                                                           sensor

                                 I IS                                            PROFET

                          IS                                                               Load GND

      VIN                 5
               VIS
                                   RIS
      Logic GND

1) With additional external diode.
2) Additional external diode required for energized inductive loads (see page 8).

Infineon Technologies AG                         Page 1of 15                                                         2003-Oct-01
                                                                         Data Sheet BTS6510

Pin        Symbol     Function
     1        OUT
     2        OUT  O Output to the load. The pins 1,2,6 and 7 must be shorted with each other
     3         IN          especially in high current applications!3)
     4        Vbb
                   O Output to the load. The pins 1,2,6 and 7 must be shorted with each other
     5         IS          especially in high current applications!3)
     6        OUT
     7        OUT  I Input, activates the power switch in case of short to ground

                   +  Positive power supply voltage, the tab is electrically connected to this pin.
                      In high current applications the tab should be used for the Vbb connection
                      instead of this pin4).

                   S Diagnostic feedback providing a sense current proportional to the load
                          current; zero current on failure (see Truth Table on page 6)

                   O  Output to the load. The pins 1,2,6 and 7 must be shorted with each other
                      especially in high current applications!3)

                   O  Output to the load. The pins 1,2,6 and 7 must be shorted with each other
                      especially in high current applications!3)

Maximum Ratings at Tj = 25 C unless otherwise specified

Parameter                                                        Symbol         Values Unit
                                                                                          42 V
Supply voltage (overvoltage protection see page 4)               Vbb                      34 V
                                                                 Vbb
Supply voltage for short circuit protection,                     IL            self-limited A
Tj,start =-40 ...+150C: (EAS limitation see diagram on page 9)
Load current (short circuit current, see page 5)                 VLoad dump6)      75 V

Load dump protection VLoadDump = VA + Vs, VA = 13.5 V
RI5) = 2 , RL = 0.54 , td = 200 ms,
IN, IS = open or grounded

Operating temperature range                                      Tj            -40 ...+150 C
                                                                 Tstg          -55 ...+150
Storage temperature range                                        Ptot
                                                                                        170 W
Power dissipation (DC), TC  25 C                                EAS
Inductive load switch-off energy dissipation, single pulse                         1.5               J
                                                                 VESD
Vbb = 12V, Tj,start = 150C, TC = 150C const.,                                   4 kV
IL = 20 A, ZL = 7.5 mH, 0 , (see diagrams on page 9 )           IIN
Electrostatic discharge capability (ESD)                         IIS           +15 , -250 mA
                                                                               +15 , -250
  Human Body Model acc. MIL-STD883D, method 3015.7 and ESD
  assn. std. S5.1-1993, C = 100 pF, R = 1.5 k

Current through input pin (DC)

Current through current sense status pin (DC)

see internal circuit diagrams on page 7

3) Not shorting all outputs will considerably increase the on-state resistance, reduce the peak current capability

     and decrease the current sense accuracy
4) Otherwise add about 0.3 m to the RON if the pin is used instead of the tab.
5) RI = internal resistance of the load dump test pulse generator.
6) VLoad dump is setup without the DUT connected to the generator per ISO 7637-1 and DIN 40839.

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                                                                           Data Sheet BTS6510

Thermal Characteristics                                         Symbol          Values      Unit

Parameter and Conditions

                                                                           min typ max

Thermal resistance                         chip - case:         RthJC7)    --   -- 0.75 K/W
                                                                RthJA
                        junction - ambient (free air):                     -- 60        --

                       SMD version, device on PCB8):                            33

Electrical Characteristics

Parameter and Conditions                                        Symbol          Values      Unit

at Tj = -40 ... +150 C, Vbb = 12 V unless otherwise specified             min typ max

Load Switching Capabilities and Characteristics

On-state resistance (Tab to pins 1,2,6,7)

VIN = 0, IL = 20 A                          Tj = 25 C:         RON        -- 4.4 6.0 m
                                           Tj = 150 C:                            7.9 10.5
                                                                IL(ISO)
VIN = 0, IL = 90 A                         Tj = 150 C:         IL(NOM)              -- 10.7
                                                                IL(Max)
Vbb = 6V9), VIN = 0, IL = 20 A             Tj = 150 C:         ton        -- 10 17
                                                                toff
Nominal load current 10), (Tab to pins 1,2,6,7)                 dV/dton
                                                                -dV/dtoff
ISO Proposal: VON = 0.5 V,TC = 85C,Tj  150C 11)                            55 70      -- A
                                                                           13.6 17      --
SMD 8): TA = 85 C, Tj  150 C VON  0.5 V

Maximum load current in resistive range

(Tab to pins 1,2,6,7)           VON = 1.8 V, Tc = 25 C:                   250  --      --

see diagram on page 12  VON = 1.8 V, Tc = 150 C:                          150  --      -- A

Turn-on time12)                 IIN to 90% VOUT:                           150 230 470 s
                                                                            80 130 200
Turn-off time                   IIN to 10% VOUT:

RL = 1  , Tj =-40...+150C

Slew rate on 12) (10 to 30% VOUT )                                         0.1 0.25 0.6 V/s

RL = 1  , TJ = 25 C

Slew rate off 12) (70 to 40% VOUT )                                        0.15 0.35 0.6 V/s

RL = 1  , TJ = 25 C

7) Thermal resistance RthCH case to heatsink (about 0.5 ... 0.9 K/W with silicone paste) not included!
8) Device on 50mm*50mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6cm2 (one layer, 70m thick) copper area for Vbb

     connection. PCB is vertical without blown air.
9) Decrease of Vbb below 10 V causes slowly a dynamic increase of RON to a higher value of RON(Static). As

     long as VbIN > VbIN(u) max, RON increase is less than 10 % per second for TJ < 85 C.
10) not subject to production test, specified by design

11) TJ is about 105C under these conditions.
12) See timing diagram on page 13.

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Parameter and Conditions                                        Symbol          Values      Unit

at Tj = -40 ... +150 C, Vbb = 12 V unless otherwise specified             min typ max

Inverse Load Current Operation

On-state resistance (Pins 1,2,6,7 to pin 4)

VbIN = 12 V, IL = - 20 A                     Tj = 25 C:        RON(inv)   -- 4.4 6.0 m
                                                                IL(inv)
see page 9                                   Tj = 150 C:       -VON            7.9 10.5

Nominal inverse load current (Pins 1,2,6,7 to Tab)                         55 70        -- A

VON = -0.5 V, Tc = 85 C11)

Drain-source diode voltage (Vout > Vbb)                                    -- 0.6       -- V
IL = - 20 A, IIN = 0, Tj = +150C

Operating Parameters

Operating voltage (VIN = 0) 9, 13)                              Vbb(on)    5.0  -- 34 V
Undervoltage shutdown 14)                                       VbIN(u)
                                                                           1.5 3.0 4.5 V
                                                                VbIN(ucp)
Undervoltage start of charge pump                               VbIN(Z)    3.0 4.5 6.0 V

  see diagram page 14                                           Ibb(off)

Overvoltage protection15)                   Tj =-40C:                     60   --      -- V
Ibb = 15 mA                        Tj = 25...+150C:
                                                                           62 66        --

Standby current                     Tj =-40...+25C:                       -- 15 25 A
IIN = 0                                  Tj = 150C:
                                                                           -- 25 50

13) If the device is turned on before a Vbb-decrease, the operating voltage range is extended down to VbIN(u).
     For all voltages 0 ... 34 V the device is fully protected against overtemperature and short circuit.

14) VbIN = Vbb - VIN see diagram on page 7. When VbIN increases from less than VbIN(u) up to VbIN(ucp) = 5 V

     (typ.) the charge pump is not active and VOUT Vbb - 3 V.
15) See also VON(CL) in circuit diagram on page 8.

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Parameter and Conditions                                        Symbol          Values           Unit

at Tj = -40 ... +150 C, Vbb = 12 V unless otherwise specified  IL(SC)     min typ max
                                                                IL(SC)
Protection Functions16)                                         IL(SC)
                                                                -VOUT(CL)
Short circuit current limit (Tab to pins 1,2,6,7)17)
                                                                VON(CL)
VON = 6 V                                    Tc =-40C:         Tjt        -- 110 --             A
                                                                Tjt
                                             Tc =25C:                     45 130 180

                                             Tc =+150C:                   -- 115 --

Output clamp 18)                             IL= 40 mA:                    14 17 20 V
(inductive load switch off)

see diagram Ind. and overvolt. output clamp page 7

Output clamp (inductive load switch off)                                   39 42 47 V
at VOUT = Vbb - VON(CL) (e.g. overvoltage),IL= 40 mA
                                                                           150  --      -- C
Thermal overload trip temperature

Thermal hysteresis                                                         -- 10        -- K

Reverse Battery                                                 -Vbb       --   -- 32 V
Reverse battery voltage 19)                                     RON(rev)
On-state resistance (Pins 1,2,6,7 to pin 4)   Tj = 25 C:                  -- 5.4 7.0 m
Vbb = -12V, VIN = 0, IL = - 20 A, RIS = 1 k  Tj = 150 C:       Rbb                8.9 12.3

Integrated resistor in Vbb line                                            -- 120       --

Diagnostic Characteristics

Current sense ratio,         IL = 90 A,Tj =-40C: kILIS                    12 400 14 200 16 000
                                         Tj =25C:                         12 000 13 700 15 400
static on-condition,                                                       11 400 12 800 14 200
                                        Tj =150C:                         12 200 14 800 17 400
kILIS = IL : IIS,            IL = 20 A,Tj =-40C:                          12 000 14 100 16 200
VON < 1.5 V20),                                                            11 500 13 200 15 000
VIS  4.0 V                            Tj =150C:                         11 500 14 500 17 500
see diagram on page 11       IL = 10 A,Tj =-40C:                          11 400 13 300 15 200
                                         Tj =25C:                         10 000 17 600 28 500
                                       Tj =150C:                          11 000 15 600 22 000
                              IL = 4 A,Tj =-40C:                          10 600 13 800 18 000
                                         Tj =25C:
                                       Tj =150C:

IIS=0 by IIN =0 (e.g. during deenergizing of inductive loads):

16) Integrated protection functions are designed to prevent IC destruction under fault conditions described in the
     data sheet. Fault conditions are considered as "outside" normal operating range. Protection functions are not
     designed for continuous repetitive operation.

17 ) Short circuit is a failure mode. The device is not designed to operate continuously into a short circuit. The
     lifetime will be reduced under such conditions.

18) This output clamp can be "switched off" by using an additional diode at the IS-Pin (see page 7). If the diode
     is used, VOUT is clamped to Vbb- VON(CL) at inductive load switch off.

19) The reverse load current through the intrinsic drain-source diode has to be limited by the connected load (as
     it is done with all polarity symmetric loads). Note that under off-conditions (IIN = IIS = 0) the power transistor
     is not activated. This results in raised power dissipation due to the higher voltage drop across the intrinsic
     drain-source diode. The temperature protection is not active during reverse current operation! Increasing
     reverse battery voltage capability is simply possible as described on page 8.

20) If VON is higher, the sense current is no longer proportional to the load current due to sense current

    saturation, see IIS,lim .

                                             Page 5 of 15                               2003-Oct-01
                                                                          Data Sheet BTS6510

Parameter and Conditions                                        Symbol         Values                    Unit

at Tj = -40 ... +150 C, Vbb = 12 V unless otherwise specified            min typ max

Sense current saturation                                        IIS,lim   6.5  --                    -- mA
                                                                IIS(LL)
Current sense leakage current      IIN = 0:                     IIS(LH)   --   -- 0.5 A
                                                                VbIS(Z)
                                   VIN = 0, IL  0:                        --   2                     --
                                                                ts(IS)
Current sense overvoltage protection Tj =-40C:                           60   --                    -- V
                                                                IIN(on)
Ibb = 15 mA                        Tj = 25...+150C:            IIN(off)  62 66                      --

Current sense settling time21)                                            --   -- 500 s

Input                                                                     -- 0.8 1.5 mA

Input and operating current (see diagram page 12)                         --   -- 80 A

  IN grounded (VIN = 0)

Input current for turn-off22)

Truth Table

Normal             Input   Output    Current                                    Remark
operation         current             Sense
Very high                   level                                    =IL / kilis, up to IIS=IIS,lim
load current       level       L         IIS                         up to VON=VON(Fold back)
Current-                      H           0                     IIS no longer proportional to IL
limitation            L              nominal
Short circuit to      H       H                                         VON > VON(Fold back)
GND                                    IIS, lim
Over-                 H       H
temperature                               0
Short circuit to      H        L
Vbb                            L          0
Open load             L        L          0
                      H        L          0
Negative output       L       H           0
voltage clamp         H       H           0
Inverse load          L      Z24)  

Two or more devices can easily be connected in                                       5 V. If you want measure load currents up to IL(M), RIS
parallel to increase load current capability.
                                                                                     should  be  less  than  Vbb -    5V
                                                                                                             IL(M) /  Kilis.

                                                                                     Note: For large values of RIS the voltage VIS can reach

Input circuit (ESD protection)                                                       almost Vbb. See also overvoltage protection.

                                                                               V bb  If you don't use the current sense output in your

                                                                                     application, you can leave it open.

                                                  R bb                               Inductive and overvoltage output clamp

V                               ZD                                                                                            + Vbb

Z,IN

V bIN                                                                                                        VZ1
              IN

                  I                                                                                                           VON

                   IN

                 V IN                                                                                  VZG                                     OUT

When the device is switched off (IIN = 0) the voltage                                                             IS          PROFET
between IN and GND reaches almost Vbb. Use a                                                            DS
mechanical switch, a bipolar or MOS transistor with                                                                                               VOUT
appropriate breakdown voltage as driver.
VZ,IN = 66 V (typ).                                                                  VON is clamped to VON(Cl) = 42 V typ. At inductive load
                                                                                     switch-off without DS, VOUT is clamped to VOUT(CL) =
                                                                                     -19 V typ. via VZG. With DS, VOUT is clamped to Vbb -
                                                                                     VON(CL) via VZ1. Using DS gives faster deenergizing of
                                                                                     the inductive load, but higher peak power dissipation in
                                                                                     the PROFET. In case of a floating ground with a
                                                                                     potential higher than 19V referring to the OUT
                                                                                     potential the device will switch on, if diode DS is not
                                                                                     used.

                                                         Page 7 of 15                                                         2003-Oct-01
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Overvoltage protection of logic part                                                 Vbb disconnect with energized inductive
                                                                                     load
                                                                              + Vbb
                                                                                     Provide a current path with load current capability by
                    V       V Z,IS          R bb                                     using a diode, a Z-diode, or a varistor. (VZL < 72 V or
                                                                                     VZb < 30 V if RIN=0). For higher clamp voltages
                      Z,IN                                                           currents at IN and IS have to be limited to 250 mA.

    R IN                                                                             Version a:

            IN

                                Logic                                VOUT

                    IS                               PROFET

                                                                                     Vbb                V bb

                    R IS            RV           V Z,VIS

                                                                                               IN  PROFET OUT

                                          Signal GND                                                    IS

Rbb = 120  typ., VZ,IN = VZ,IS = 66 V typ., RIS = 1 k
nominal. Note that when overvoltage exceeds 71 V typ.
a voltage above 5V can occur between IS and GND, if
RV, VZ,VIS are not used.

Reverse battery protection                                                                                                                                  VZL

                                                           - Vbb                     Version b:

                                                               Rbb

                IN                                                                   Vbb                    Vbb

                                                                    OUT                            IN PROFET OUT

    RIN             Logic                            Power
                                                     Transistor

                                                                                                            IS

                                    IS

                            DS                               RL

                                                                                          VZb

                    D       RIS         RV

                Signal GND                                Power GND                  Note that there is no reverse battery protection when
                                                                                     using a diode without additional Z-diode VZL, VZb.
RV  1 k, RIS = 1 k nominal. Add RIN for reverse
                                                                                     Version c: Sometimes a neccessary voltage clamp is
battery protection in applications with Vbb above                                    given by non inductive loads RL connected to the same
                                                                                     switch and eliminates the need of clamping circuit:
16  V19);  recommended              value:   1    +   1   +   1  =
                                            RIN      RIS     RV

    0.1A                                    1             0.1A
|Vbb| - 12V if DS is not used (or RIN = |Vbb| - 12V if DS is

used).                                                                               Vbb           Vbb

To minimize power dissipation at reverse battery                                                                                                                 RL

operation, the summarized current into the IN and IS

pin should be about 120mA. The current can be                                                  IN PROFET OUT

provided by using a small signal diode D in parallel to

the input switch, by using a MOSFET input switch or by                                             IS

proper adjusting the current through RIS and RV.

Infineon Technologies AG                                             Page 8 of 15                                 2003-Oct-01
                                                                                                                Data Sheet BTS6510

Inverse load current operation                                                            Maximum allowable load inductance for
                                                                                          a single switch off
         Vbb                Vbb
                                                                                          L = f (IL ); Tj,start = 150C, Vbb = 12 V, RL = 0
+                                                  - IL                                   L [H]

-              IN PROFET OUT                                                                                                                                 IL[A]

          VIN               IS                                             VOUT +                  10000

                                IIS                                                    -            1000

               VIS              R IS

The device is specified for inverse load current                                          100                       100         1000

operation (VOUT > Vbb > 0V). The current sense feature                                     10
is not available during this kind of operation (IIS = 0).
With IIN = 0 (e.g. input open) only the intrinsic drain                                      1
source diode is conducting resulting in considerably                                           10

increased power dissipation. If the device is switched

on (VIN = 0), this power dissipation is decreased to the
much lower value RON(INV) * I2 (specifications see page
4).

Note: Temperature protection during inverse load

current operation is not possible!

Inductive load switch-off energy                                                          Externally adjustable current limit
dissipation
                                                                                          If the device is conducting, the sense current can be
              E bb                                                                        used to reduce the short circuit current and allow
                                                                                          higher lead inductance (see diagram above). The
                                                                  E AS                    device will be turned off, if the threshold voltage of T2
                                                                                          is reached by IS*RIS . After a delay time defined by
                      V bb                                                 ELoad          RV*CV T1 will be reset. The device is turned on again,
                                                                           EL             the short circuit current is defined by IL(SC).
V bb                                                    i L(t)
               IN PROFET OUT

                      IS                                                L
                                       {Z L RL
      I IN                RIS                                              ER                              Vbb

                                                                                                                         Vbb

Energy stored in load inductance:                                                                               IN  PROFET OUT

               EL  =  1/2LI      2
                                   L
                                                                                                  RV                          IS
While demagnetizing load inductance, the energy
dissipated in PROFET is                                                                   IN                                                  Rload
                                                                                          Signal
      EAS= Ebb + EL - ER= VON(CL)iL(t) dt,                                                            T1       CV  T2            R IS
                                                                                                                                                Power
                                                                                                  Signal                                        GND
                                                                                                  GND

with an approximate solution for RL > 0 :

EAS= 2ILR LL(Vbb + |VOUT(CL)|)   ln  (1+    ILRL                        )

                                            |VOUT(CL)|

Infineon Technologies AG                                                   Page 9 of 15                                         2003-Oct-01
                                                              Data Sheet BTS6510

Options Overview

Type                      BTS                6510P 550P 555
                                                       650P

Overtemperature protection with hysteresis   X     X  X
Tj >150 C, latch function25)
Tj >150 C, with auto-restart on cooling              X
Short circuit to GND protection
                                             X     X
with overtemperature shutdown
                                             X
switches off when VON>6 V typ.
(when first turned on after approx. 180 s)        X  X

Overvoltage shutdown                         -     -  -

Output negative voltage transient limit       X    X  X
                                             X26)
to Vbb - VON(CL)                                  X26) X26)
to VOUT = -19 V typ

25) Latch except when Vbb -VOUT < VON(SC) after shutdown. In most cases VOUT = 0 V after shutdown (VOUT

0 V only if forced externally). So the device remains latched unless Vbb < VON(SC) (see page 5). No latch
between turn on and td(SC).
26) Can be "switched off" by using a diode DS (see page 8) or leaving open the current sense output.

Infineon Technologies AG  Page 10 of 15                       2003-Oct-01
                                                                              Data Sheet BTS6510

Characteristics                                     Current sense ratio:
                                                    IIS = f(IL), TJ= 25 C
Current sense versus load current:
IIS = f(IL), TJ= -40 ... +150 C                       22000

30000                                               20000
28000
26000                     max                       18000
24000                     typ                                                          max
22000
20000                                               16000
18000
16000                                                                                  typ
14000                                               14000
12000
10000                                                                                  min
                                                    12000
         0
                          min

                                                    10000

            20            40        60  80                 0    20            40            60  80
                                                                                                    IL [A]
IIS [mA]                                            kILIS
                                                                                                80
                                            IL [A]  Current sense ratio:                            IL [A]
                                                    KILIS = f(IL),TJ = 150C
Current sense ratio:                                kilis

KILIS = f(IL),TJ = -40C
kilis

30000                                               22000
28000
26000                                               20000
24000
22000                                               18000
20000
18000                          max                  16000                     max
16000                          typ                                            typ
14000                                               14000
12000                          min                  12000                     min
10000
            20            40        60  80          10000       20            40            60
         0                                  IL [A]           0

Infineon Technologies AG                Page 11 of 15                                           2003-Oct-01
                                                                          Data Sheet BTS6510

Typ. current limitation characteristic                         Typ. input current
IL = f (VON, Tj )                                             IIN = f (VbIN), VbIN = Vbb - VIN
IL [A]                                                        IIN [mA]

  450                                                               1.6

  400                                                               1.4

350                                                           1.2
                                                              1.0
300                                                           0.8
                                                              0.6
250                                                           0.4
                                                              0.2
200
                                                                0
                                  TJ = 25C                        0

150

100

50                 TJ = -40C TJ= 150C

    0              10                        15       20              20                        40  60  80
      0 VON(FB) 5

                                                 VON [V]                                                VbIN [V]

Typ. on-state resistance
RON = f (Vbb, Tj ); IL = 20 A; VIN = 0

RON [mOhm]

14

                                             static

12                                           dynamic

10

8                  Tj = 150C

                       85C

6

                       25C

4                  -40C

2

0

    0  5           10                        15       40

                                                     Vbb [V]

Infineon Technologies AG                         Page 12 of 15                                          2003-Oct-01
Timing diagrams                                                                 Data Sheet BTS6510

Figure 1a: Switching a resistive load,                   Figure 2c: Switching an inductive load:
change of load current in on-condition:
                                                               IIN
     IIN

VOUT    t on                                   dV/dtoff  VOUT
      dV/dton                                            IL
90%                                      t off
              tslc(IS)                    t slc(IS)
10%

IL

      Load 1             Load 2

IIS                                                    IIS                                                 t

               tson(IS)                  t

                          t soff(IS)

The sense signal is not valid during a settling time
after turn-on/off and after change of load current.

Figure 2b: Switching motors and lamps:                   Figure 3d: Short circuit:
                                                         shut down by overtemperature detection with auto
      IIN                                                restart on cooling

                                                               IN

                                                         IL                         IL(SCp)

VOUT                                                                                         IL(SCr)

IIL

                                                                               IIS           VOUT >>0 VOUT =0
                                                                                                                         t
    IIS
                                                                                                               2003-Oct-01
                                                                   t

Sense current saturation can occur at very high
inrush currents (see IIS,lim on page Fehler!
Textmarke nicht definiert.).

Infineon Technologies AG                 Page 13 of 15
Figure 4e: Overtemperature                                          Data Sheet BTS6510
Reset if Tj
新增数据表(2021-06-17):    180-044J06-19-11-8S 180-044J06-19-11-8P 180-044J06-17-8-8S 180-044J06-15-97-8S 180-044J06-17-8-8P 180-044J06-15-5-8P 180-044J06-13-4-8S 180-044J06-15-97-8P 180-044J06-11-2-8S 180-044J06-13-4-8P 180-044J06-15-5-8S 180-044J06-11-2-8P 180-044B07-25-29-8S 180-044B07-25-20-8S 180-044B07-25-29-8P 180-044B07-25-20-8P 180-044B07-23-99-8P 180-044B07-23-99-8S 180-044B07-23-21-8S 180-044B07-23-21-8P 180-044B07-21-16-8P 180-044B07-21-16-8S 180-044B07-19-11-8S 180-044B07-19-11-8P 180-044B07-17-8-8S 180-044B07-17-8-8P 180-044B07-15-97-8S 180-044B07-15-97-8P 180-044B07-15-5-8P 180-044B07-15-5-8S 180-044B07-13-4-8P 180-044B07-13-4-8S 180-044B07-11-2-8S 180-044B07-11-2-8P 180-044B06-25-29-8P 180-044B06-25-29-8S 180-044B06-25-20-8S 180-044B06-25-20-8P 180-044B06-23-99-8S 180-044B06-23-99-8P 180-044B06-23-21-8P 180-044B06-23-21-8S 180-044B06-21-16-8P 180-044B06-21-16-8S 180-044B06-19-11-8S 180-044B06-17-8-8S 180-044B06-19-11-8P 180-044B06-17-8-8P 180-044B06-15-97-8P 180-044B06-15-97-8S 180-044B06-13-4-8S 180-044B06-13-4-8P 180-044B06-15-5-8S 180-044B06-15-5-8P 180-044B06-11-2-8S 180-044B06-11-2-8P 180-043C 18-6AWG 17JE-13370-37-FA 17JE-13250-37-FA 17JE-13370-37(D2A)-FA 17JE-13250-37(D2A)-FA 17JE-13150-37(D2A)-FA 17JE-13150-37-FA 17JE-13090-37(D2A)-FA 17JE-13090-37-FA 17HE-R13150-85-FA 17JE 17HE-R13150-84-FA 17HE-R13150-86-FA 17HE-R13150-83-FA 17HE-R13150-82-FA 17HE-R13150-81-FA 17HE-R13150-80-FA 17HE-R13150-76-FA 17HE-R13150-74-FA 17HE-R13150-75-FA 17HE-R13150-72-FA 17HE-R13150-70-FA 17HE-C13150-85-FA

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