电子工程世界电子工程世界电子工程世界

产品描述

搜索
 

BD14016

器件型号:BD14016
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:Fairchild
厂商官网:http://www.fairchildsemi.com/
下载文档

器件描述

1.5 A, 45 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA

参数
参数名称属性值
端子数量3
晶体管极性PNP
最大集电极电流1.5 A
最大集电极发射极电压45 V
加工封装描述塑料, CASE 77-09, 3 PIN
状态DISCONTINUED
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式THROUGH-孔
端子涂层锡 铅
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
元件数量1
晶体管应用放大器
晶体管元件材料
最大环境功耗1.25 W
晶体管类型通用电源
最小直流放大倍数25

BD14016器件文档内容

                              BD136/138/140                                                                                      BD136/138/140

Medium Power Linear and Switching
Applications

Complement to BD135, BD137 and BD139 respectively

                                                                                        1                 TO-126

                                                                                        1. Emitter 2.Collector 3.Base

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted

Symbol                                                  Parameter                               Value                Units
                                                                                                  - 45                 V
VCBO      Collector-Base Voltage                                   : BD136                        - 60                 V
                                                                   : BD138                        - 80                 V
                                                                   : BD140                        - 45                 V
                                                                                                  - 60                 V
VCEO      Collector-Emitter Voltage                                : BD136                        - 80                 V
                                                                   : BD138                         -5                  V
                                                                   : BD140                       - 1.5                 A
                                                                                                 - 3.0                 A
VEBO      Emitter-Base Voltage                                                                   - 0.5                 A
IC        Collector Current (DC)                                                                 12.5                  W
ICP       Collector Current (Pulse)                                                              1.25                  W
IB        Base Current                                                                            150                  C
PC        Collector Dissipation (TC=25C)                                                                              C
PC        Collector Dissipation (Ta=25C)                                                     - 55 ~ 150
TJ        Junction Temperature
TSTG      Storage Temperature

Electrical Characteristics TC=25C unless otherwise noted

Symbol                                       Parameter                      Test Condition    Min. Typ. Max. Units

VCEO(sus) * Collector-Emitter Sustaining Voltage

                                              : BD136              IC = - 30mA, IB = 0        - 45                     V

                                              : BD138                                         - 60                     V

                                              : BD140                                         - 80                     V

ICBO      Collector Cut-off Current                                VCB = - 30V, IE = 0                    - 0.1 A
                                                                                                          - 10 A
IEBO      Emitter Cut-off Current                                  VEB = - 5V, IC = 0

hFE1      * DC Current Gain                                        VCE = - 2V, IC = - 5mA     25
hFE2
hFE3                                                               VCE = - 2V, IC = - 0.5A    25

                                                                   VCE = - 2V, IC = - 150mA 40            250

VCE(sat)  * Collector-Emitter Saturation Voltage                   IC = - 500mA, IB = - 50mA              - 0.5 V

VBE(on)   * Base-Emitter ON Voltage                                VCE = - 2V, IC = - 0.5A                -1           V

* Pulse Test: PW=350s, duty Cycle=2% Pulsed

hFE Classificntion                                 6                            10                             16
                                              40 ~ 100                      63 ~ 160                      100 ~ 250
             Classification
                   hFE3

2000 Fairchild Semiconductor International                                                               Rev. A, February 2000
Typical Characteristics                                                                                                                                                                                                                         BD136/138/140

                      100                                                                                                                                 -500
                       90
                       80                                                                                   VCE = -2V   VCE(sat)[mV], SATURATION VOLTAGE
                       70
                       60                                                                                                                                 -450
                       50
                       40                                                                                                                                 -400                                   IC = 20 IB
                       30                                                                                                                                                                               IC = 10 IB
hFE, DC CURRENT GAIN   20                                                                                                                                 -350
                       10
                         0                                                                                                                                -300
                          -10
                                                                                                                                                          -250

                                                                                                                                                          -200

                                                                                                                                                          -150

                                                                                                                                                          -100

                                                                                                                                                          -50

                                                                                                                                                          -0

                                                                         -100                               -1000                                         -1E-3      -0.01                 -0.1                -1        -10

                                                              IC[mA], COLLECTOR CURRENT                                                                              IC[A], COLLECTOR CURRENT

                                                              Figure 1. DC current Gain                                 Figure 2. Collector-Emitter Saturation Voltage

                                                    -1.1                                                                                                  -10

                      VBE[V], BASE-EMITTER VOLTAGE  -1.0                                                                                                        IC MAX. (Pulsed)                                   10us
                                                                                                                                                                IC MAX. (Continuous)
                                                    -0.9                             VIBCE(=sa1t0) IB                   IC[A], COLLECTOR CURRENT
                                                                                                                                                           -1
                                                    -0.8                                  V BE(on=) -5V                                                                                                 100us
                                                                                                                                                                                                 1ms
                                                    -0.7                                                                                                                                   DC

                                                                                          V CE

                                                    -0.6

                                                    -0.5

                                                                                                                                                          -0.1

                                                    -0.4

                                                    -0.3                                                                                                                                                  BD140
                                                                                                                                                                                                     BD138
                                                    -0.2                                                                                                                                         BD136

                                                    -0.1                                                                                                  -0.01                       -10                          -100
                                                                                                                                                                 -1
                                                    -1E-3         -0.01        -0.1                    -1          -10

                                                                  IC[A], COLLECTOR CURRENT                                                                           VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE

                                                              Figure 3. Base-Emitter Voltage                                                                         Figure 4. Safe Operating Area

                      PC[W], POWER DISSIPATION      20.0
                                                    17.5
                                                    15.0      25  50     75          100               125  150    175
                                                    12.5
                                                    10.0

                                                     7.5
                                                     5.0
                                                     2.5
                                                     0.0

                                                           0

                                                                  TC[oC], CASE TEMPERATURE

                                                              Figure 5. Power Derating

2000 Fairchild Semiconductor International                                                                                                                                                                              Rev. A, February 2000
Package Demensions                                                                                                                                                    BD136/138/140

                               TO-126        3.90 0.10                                                    3.25 0.20

                                                   8.00 0.30

3.20 0.10                                               14.20MAX
                                                                                      11.00 0.20

                                                                                                   (1.00)  (0.50)
                                                                                                           1.75 0.20
                                             0.75 0.10
                                              1.60 0.10  13.06 0.30
                                              0.75 0.10                              16.10 0.20

                 #1                                        2.28TYP                                         0.50  +0.10
2.28TYP                                                  [2.280.20]                                            0.05

[2.280.20]

2000 Fairchild Semiconductor International                                                                      Dimensions in Millimeters

                                                                                                                                               Rev. A, February 2000
TRADEMARKS

The following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is
not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.

ACExTM                                       HiSeCTM             SuperSOTTM-8
                                             ISOPLANARTM         SyncFETTM
BottomlessTM                                 MICROWIRETM         TinyLogicTM
                                             POPTM               UHCTM
CoolFETTM                                    PowerTrench        VCXTM
                                             QFETTM
CROSSVOLTTM                                  QSTM
E2CMOSTM                                     Quiet SeriesTM
                                             SuperSOTTM-3
FACTTM                                       SuperSOTTM-6

FACT Quiet SeriesTM
FAST

FASTrTM

GTOTM

DISCLAIMER

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY
PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY
LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN;
NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.

LIFE SUPPORT POLICY

FAIRCHILD'S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT
DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
INTERNATIONAL.
As used herein:

1. Life support devices or systems are devices or systems        2. A critical component is any component of a life support
which, (a) are intended for surgical implant into the body,      device or system whose failure to perform can be
or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to perform  reasonably expected to cause the failure of the life support
when properly used in accordance with instructions for use       device or system, or to affect its safety or effectiveness.
provided in the labeling, can be reasonably expected to
result in significant injury to the user.

PRODUCT STATUS DEFINITIONS
Definition of Terms

     Datasheet Identification                 Product Status                                    Definition
Advance Information
                                             Formative or In     This datasheet contains the design specifications for
                                             Design              product development. Specifications may change in
                                                                 any manner without notice.
Preliminary                                  First Production
                                                                 This datasheet contains preliminary data, and
No Identification Needed                     Full Production     supplementary data will be published at a later date.
                                                                 Fairchild Semiconductor reserves the right to make
                                                                 changes at any time without notice in order to improve
                                                                 design.

                                                                 This datasheet contains final specifications. Fairchild
                                                                 Semiconductor reserves the right to make changes at
                                                                 any time without notice in order to improve design.

Obsolete                                     Not In Production   This datasheet contains specifications on a product
                                                                 that has been discontinued by Fairchild semiconductor.
                                                                 The datasheet is printed for reference information only.

2000 Fairchild Semiconductor International                                                                                Rev. E
This datasheet has been downloaded from:
             www.EEworld.com.cn

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.EEworld.com.cn

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright Each Manufacturing Company

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2021 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved