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BC847BVN

器件型号:BC847BVN
厂商名称:NXP
厂商官网:https://www.nxp.com
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器件描述

NPN/PNP general purpose transistor

BC847BVN器件文档内容

                         DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

M3D744

BC847BVN                                         2001 Nov 07
NPN/PNP general purpose
transistor

Product data sheet
Supersedes data of 2001 Aug 30
NXP Semiconductors                                                                                      Product data sheet

  NPN/PNP general purpose transistor                                                                    BC847BVN

FEATURES                                                   PINNING              emitter        DESCRIPTION
                                                                                base          TR1; TR2
300 mW total power dissipation                                 PIN            collector     TR1; TR2
Very small 1.6 mm x 1.2 mm ultra thin package                  1, 4                         TR1; TR2
Excellent coplanarity due to straight leads                    2, 5
Replaces two SC-75/SC-89 packaged transistors on               6, 3

   same PCB area
Reduced required PCB area
Reduced pick and place costs.

APPLICATIONS                                               handbook, halfpag6e  5          4            65 4

General purpose switching and amplification                                                                                 TR2
Switch mode power supply complementary MOSFET                                                         TR1

   driver
Complementary driver for audio amplifiers.

DESCRIPTION                                                            1        2          3            123
NPN/PNP transistor pair in a SOT666 plastic package.
                                                                                                MAM443

                                                               Top view

MARKING              MARKING CODE                              Fig.1 Simplified outline (SOT666) and symbol.
        TYPE NUMBER            13

BC847BVN

LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

SYMBOL               PARAMETER                             CONDITIONS                         MIN.      MAX.     UNIT

Per transistor; for the PNP transistor with negative polarity

VCBO        collector-base voltage         open emitter                                    -        50        V
VCEO        collector-emitter voltage      open base
VEBO        emitter-base voltage           open collector                                  -        45        V
IC          collector current (DC)
ICM         peak collector current         Tamb  25 C; note 1                             -        5         V
IBM         peak base current
Ptot        total power dissipation                                                        -        100       mA
Tstg        storage temperature
Tj          junction temperature                                                           -        200       mA
Tamb        operating ambient temperature
                                                                                           -        200       mA

                                                                                           -        200       mW

                                                                                           -65      +150      C

                                                                                           -        150       C

                                                                                           -65      +150      C

Per device

Ptot        total power dissipation        Tamb  25 C; note 1                             -        300       mW

Note
1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.

2001 Nov 07                                             2
NXP Semiconductors                                                                        Product data sheet

  NPN/PNP general purpose transistor                                                     BC847BVN

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL          PARAMETER                                        CONDITIONS       VALUE       UNIT
                                                           notes 1 and 2            416       K/W
Rth j-a  thermal resistance from junction to ambient

Notes

1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.

2. The only recommended soldering is reflow soldering.

CHARACTERISTICS
Tamb = 25 C unless otherwise specified.

SYMBOL          PARAMETER                               CONDITIONS            MIN. TYP. MAX. UNIT

Per transistor; for the PNP transistor with negative polarity

ICBO     collector-base cut-off current   VCB = 30 V; IE = 0                  -   -      15   nA
                                          VCB = 30 V; IE = 0; Tj = 150 C
IEBO     emitter-base cut-off current     VEB = 5 V; IC = 0                   -   -      5    A
hFE      DC current gain                  VCE = 5 V; IC = 2 mA
VCEsat   collector-emitter saturation     IC = 10 mA; IB = 0.5 mA             -   -      100 nA
         voltage                          IC = 100 mA; IB = 5 mA; note 1
VBEsat   collector-emitter saturation     IC = 10 mA; IB = 0.5 mA             200 -      450
         voltage
                                                                              -   -      100 mV

                                                                              -   -      300 mV

                                                                              -   755 -       mV

fT       transition frequency             IC = 10 mA; VCE = 5 V; f = 100 MHz 100 -       -    MHz

NPN transistor

VBE      base-emitter turn-on voltage     VCE = 5 V; IC = 2 mA                580 655 700 mV

Cc       collector capacitance            VCB = 10 V; IE = Ie = 0; f = 1MHz   -   -      1.5 pF

Ce       emitter capacitance              VEB = 500 mV; IC = Ic = 0; f = 1MHz -   11     -    pF

PNP transistor

VBE      base-emitter turn-on voltage     VCE = -5 V; IC = -2 mA              600 655 750 mV

Cc       collector capacitance            VCB = -10 V; IC = Ic = 0; f = 1MHz  -   -      2.2 pF

Ce       emitter capacitance              VEB = -500 mV; IE = Ie = 0; f = 1MHz -  10     -    pF

Note
1. Pulse test: tp  300 s;   0.02.

2001 Nov 07                                             3
NXP Semiconductors                                                                                             Product data sheet

  NPN/PNP general purpose transistor                                                                          BC847BVN

         600                                            MLD703                   1200                                             MLD704

handbook, halfpage                                                       handbook, halfpage               (1)
                                         (1)                                                              (2)
                                                                                VBE                       (3)
        hFE                                                                      mV
                                                                                 1000
         400
                                                                                  800
                                         (2)
                                                                                  600
200
                                                                                  400
                              (3)

0                                                                        20010-2             10-1             102           103
10-1                                               102           103
                    1                         10                                                   1      10

                                                        IC (mA)                                                    IC (mA)

TR1 (NPN); VCE = 5 V.                                                    TR1 (NPN); VCE = 5 V.
(1) Tamb = 150 C.                                                       (1) Tamb = -55 C.
(2) Tamb = 25 C.                                                        (2) Tamb = 25 C.
(3) Tamb = -55 C.                                                       (3) Tamb = 150 C.

Fig.2 DC current gain as a function of collector                         Fig.3 Base-emitter voltage as a function of
          current: typical values.                                                 collector current; typical values.

          104                                           MLD705                   1200                                                 MLD706

handbook, halfpage                                                       handbook, halfpage           (1)
                                                                                                      (2)
    VCEsat                                                                    VBEsat                  (3)
      (mV)                                                                     (mV)
                                                                                 1000
          103
                                                                                  800

                                                                                  600

102                                           (1)

                        (2)

                                              (3)                        400

1100-1              1                         10   102  IC (mA)  103     20010-1             1        10      102  IC (mA)  103

TR1 (NPN); IC/IB = 20.                                                   TR1 (NPN); IC/IB = 20.
(1) Tamb = 150 C.                                                       (1) Tamb = -55 C.
(2) Tamb = 25 C.                                                        (2) Tamb = 25 C.
(3) Tamb = -55 C.                                                       (3) Tamb = 150 C.

Fig.4 Collector-emitter saturation voltage as a                          Fig.5 Base-emitter saturation voltage as a
          function of collector current: typical values.                           function of collector current.

2001 Nov 07                                                           4
NXP Semiconductors                                                                                                                                  Product data sheet

  NPN/PNP general purpose transistor                                                                                                               BC847BVN

        1000                                                 MLD699                  -1200                                                               MLD700

handbook, halfpage                                                             handbook, halfpage

       hFE                                                                            VBE
                                                                                       mV
         800                                                                         -1000

600                                                                                                                                 (1)

                         (1)                                                           -800

400                                                                                                                                 (2)

                         (2)                                                           -600

200                 (3)                                                        -400                    (3)

-010-2              -10-1     -1       -10             -102  -103              -20-010-2 -10-1         -1                                     -10  -102  -103

                                                             IC (mA)                                                                                     IC (mA)

TR2 (PNP); VCE = -5 V.                                                         TR2 (PNP); VCE = -5 V.
(1) Tamb = 150 C.                                                             (1) Tamb = -55 C.
(2) Tamb = 25 C.                                                              (2) Tamb = 25 C.
(3) Tamb = -55 C.                                                             (3) Tamb = 150 C.

Fig.6 DC current gain as a function of collector                               Fig.7 Base-emitter voltage as a function of
          current: typical values.                                                       collector current; typical values.

        -104                                                 MLD701                  -1200                                                                               MLD702

handbook, halfpage                                                             handbook, halfpage                                        (1)
                                                                                                                                         (2)
    VCEsat                                                                          VBEsat                                               (3)
      (mV)                                                                            (mV)
                                                                                     -1000
        -103
                                                                                       -800
                                                  (1)
                              (2)                                                      -600

-102                                              (3)

                                                                               -400

-1-010-1            -1            -10                  -102  IC (mA)  -103     -20-010-1           -1                                    -10       -102  IC (mA)-103

TR2 (PNP); IC/IB = 20.                                                         TR2 (PNP); IC/IB = 20.
(1) Tamb = 150 C.                                                             (1) Tamb = -55 C.
(2) Tamb = 25 C.                                                              (2) Tamb = 25 C.
(3) Tamb = -55 C.                                                             (3) Tamb = 150 C.

Fig.8 Collector-emitter saturation voltage as a                                Fig.9 Base-emitter saturation voltage as a
          function of collector current: typical values.                                 function of collector current.

2001 Nov 07                                                                 5
NXP Semiconductors                                                                                           Product data sheet

  NPN/PNP general purpose transistor                                                                        BC847BVN

PACKAGE OUTLINE                                                                                                           SOT666
Plastic surface mounted package; 6 leads

                                 D                           A                              E               X

             S         YS

                                                                                            HE

                       6            5                4

                    pin 1 index

                                                                                   A

                       1            2                3                                                               c
                                                                                                         Lp
                       e1           bp                       wM A

                                 e

                                                                                               detail X

                                             0                       1                2 mm

                                                                   scale

DIMENSIONS (mm are the original dimensions)

UNIT A          bp  c       D       E           e       e1      HE         Lp   w     y

mm  0.6 0.27 0.18 1.7               1.3         1.0     0.5     1.7        0.3  0.1 0.1
    0.5 0.17 0.08 1.5               1.1                         1.5        0.1

OUTLINE                                              REFERENCES                                  EUROPEAN               ISSUE DATE
                                                                                                PROJECTION
VERSION                IEC                   JEDEC                   EIAJ                                                  01-01-04
                                                                                                                           01-08-27
    SOT666

2001 Nov 07                                                          6
NXP Semiconductors                                               Product data sheet

  NPN/PNP general purpose transistor                            BC847BVN

DATA SHEET STATUS

        DOCUMENT          PRODUCT                                              DEFINITION
         STATUS(1)        STATUS(2)
Objective data sheet    Development    This document contains data from the objective specification for product
                                       development.
Preliminary data sheet  Qualification  This document contains data from the preliminary specification.
Product data sheet      Production     This document contains the product specification.

Notes

1. Please consult the most recently issued document before initiating or completing a design.

2. The product status of device(s) described in this document may have changed since this document was published
     and may differ in case of multiple devices. The latest product status information is available on the Internet at
     URL http://www.nxp.com.

DISCLAIMERS                                                     above those given in the Characteristics sections of this
                                                                document is not implied. Exposure to limiting values for
General  Information in this document is believed to be         extended periods may affect device reliability.
accurate and reliable. However, NXP Semiconductors
does not give any representations or warranties,                Terms and conditions of sale  NXP Semiconductors
expressed or implied, as to the accuracy or completeness        products are sold subject to the general terms and
of such information and shall have no liability for the         conditions of commercial sale, as published at
consequences of use of such information.                        http://www.nxp.com/profile/terms, including those
                                                                pertaining to warranty, intellectual property rights
Right to make changes  NXP Semiconductors                       infringement and limitation of liability, unless explicitly
reserves the right to make changes to information               otherwise agreed to in writing by NXP Semiconductors. In
published in this document, including without limitation        case of any inconsistency or conflict between information
specifications and product descriptions, at any time and        in this document and such terms and conditions, the latter
without notice. This document supersedes and replaces all       will prevail.
information supplied prior to the publication hereof.
                                                                No offer to sell or license  Nothing in this document
Suitability for use  NXP Semiconductors products are            may be interpreted or construed as an offer to sell products
not designed, authorized or warranted to be suitable for        that is open for acceptance or the grant, conveyance or
use in medical, military, aircraft, space or life support       implication of any license under any copyrights, patents or
equipment, nor in applications where failure or malfunction     other industrial or intellectual property rights.
of an NXP Semiconductors product can reasonably be
expected to result in personal injury, death or severe          Export control  This document as well as the item(s)
property or environmental damage. NXP Semiconductors            described herein may be subject to export control
accepts no liability for inclusion and/or use of NXP            regulations. Export might require a prior authorization from
Semiconductors products in such equipment or                    national authorities.
applications and therefore such inclusion and/or use is at
the customer's own risk.                                        Quick reference data  The Quick reference data is an
                                                                extract of the product data given in the Limiting values and
Applications  Applications that are described herein for        Characteristics sections of this document, and as such is
any of these products are for illustrative purposes only.       not complete, exhaustive or legally binding.
NXP Semiconductors makes no representation or
warranty that such applications will be suitable for the
specified use without further testing or modification.

Limiting values  Stress above one or more limiting
values (as defined in the Absolute Maximum Ratings
System of IEC 60134) may cause permanent damage to
the device. Limiting values are stress ratings only and
operation of the device at these or any other conditions

2001 Nov 07                                                  7
NXP Semiconductors

Customer notification
This data sheet was changed to reflect the new company name NXP Semiconductors. No changes were
made to the content, except for the legal definitions and disclaimers.

Contact information
For additional information please visit: http://www.nxp.com
For sales offices addresses send e-mail to: salesaddresses@nxp.com

NXP B.V. 2009

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without notice. No liability will be accepted by the publisher for any consequence of its use. Publication thereof does not convey nor imply any license
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Printed in The Netherlands  613514/02/pp8  Date of release: 2001 Nov 07  Document order number: 9397 750 09039
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新增数据表(2021-06-17):    180-044J06-19-11-8S 180-044J06-19-11-8P 180-044J06-17-8-8S 180-044J06-15-97-8S 180-044J06-17-8-8P 180-044J06-15-5-8P 180-044J06-13-4-8S 180-044J06-15-97-8P 180-044J06-11-2-8S 180-044J06-13-4-8P 180-044J06-15-5-8S 180-044J06-11-2-8P 180-044B07-25-29-8S 180-044B07-25-20-8S 180-044B07-25-29-8P 180-044B07-25-20-8P 180-044B07-23-99-8P 180-044B07-23-99-8S 180-044B07-23-21-8S 180-044B07-23-21-8P 180-044B07-21-16-8P 180-044B07-21-16-8S 180-044B07-19-11-8S 180-044B07-19-11-8P 180-044B07-17-8-8S 180-044B07-17-8-8P 180-044B07-15-97-8S 180-044B07-15-97-8P 180-044B07-15-5-8P 180-044B07-15-5-8S 180-044B07-13-4-8P 180-044B07-13-4-8S 180-044B07-11-2-8S 180-044B07-11-2-8P 180-044B06-25-29-8P 180-044B06-25-29-8S 180-044B06-25-20-8S 180-044B06-25-20-8P 180-044B06-23-99-8S 180-044B06-23-99-8P 180-044B06-23-21-8P 180-044B06-23-21-8S 180-044B06-21-16-8P 180-044B06-21-16-8S 180-044B06-19-11-8S 180-044B06-17-8-8S 180-044B06-19-11-8P 180-044B06-17-8-8P 180-044B06-15-97-8P 180-044B06-15-97-8S 180-044B06-13-4-8S 180-044B06-13-4-8P 180-044B06-15-5-8S 180-044B06-15-5-8P 180-044B06-11-2-8S 180-044B06-11-2-8P 180-043C 18-6AWG 17JE-13370-37-FA 17JE-13250-37-FA 17JE-13370-37(D2A)-FA 17JE-13250-37(D2A)-FA 17JE-13150-37(D2A)-FA 17JE-13150-37-FA 17JE-13090-37(D2A)-FA 17JE-13090-37-FA 17HE-R13150-85-FA 17JE 17HE-R13150-84-FA 17HE-R13150-86-FA 17HE-R13150-83-FA 17HE-R13150-82-FA 17HE-R13150-81-FA 17HE-R13150-80-FA 17HE-R13150-76-FA 17HE-R13150-74-FA 17HE-R13150-75-FA 17HE-R13150-72-FA 17HE-R13150-70-FA 17HE-C13150-85-FA
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