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5962F9678501VPC

产品描述

5962F9678501VPC放大器基础信息:

5962F9678501VPC是一款BUFFER。常用的包装方式为DIP, DIP8,.3

5962F9678501VPC放大器核心信息:

5962F9678501VPC的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为:25 µA

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,5962F9678501VPC的标称压摆率有1660 V/us。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,5962F9678501VPC增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为225 MHz。

5962F9678501VPC的标称供电电压为5 V,其对应的标称负供电电压为-5 V。而其供电电源的范围为:+-5 V。5962F9678501VPC的输入失调电压为20000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)5962F9678501VPC的宽度为:7.62 mm。

5962F9678501VPC的相关尺寸:

5962F9678501VPC拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:8

5962F9678501VPC放大器其他信息:

其温度等级为:MILITARY。其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为:e4。5962F9678501VPC的封装代码是:DIP。5962F9678501VPC封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。

而其封装形状为RECTANGULAR。5962F9678501VPC封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。

产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小62KB,共14页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
器件替换:5962F9678501VPC替换放大器
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5962F9678501VPC概述

5962F9678501VPC放大器基础信息:

5962F9678501VPC是一款BUFFER。常用的包装方式为DIP, DIP8,.3

5962F9678501VPC放大器核心信息:

5962F9678501VPC的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为:25 µA

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,5962F9678501VPC的标称压摆率有1660 V/us。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,5962F9678501VPC增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为225 MHz。

5962F9678501VPC的标称供电电压为5 V,其对应的标称负供电电压为-5 V。而其供电电源的范围为:+-5 V。5962F9678501VPC的输入失调电压为20000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)5962F9678501VPC的宽度为:7.62 mm。

5962F9678501VPC的相关尺寸:

5962F9678501VPC拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:8

5962F9678501VPC放大器其他信息:

其温度等级为:MILITARY。其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为:e4。5962F9678501VPC的封装代码是:DIP。5962F9678501VPC封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。

而其封装形状为RECTANGULAR。5962F9678501VPC封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。

5962F9678501VPC规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP8,.3
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码USML XV(E)
放大器类型BUFFER
标称带宽 (3dB)225 MHz
25C 时的最大偏置电流 (IIB)25 µA
最大输入失调电压20000 µV
JESD-30 代码R-GDIP-T8
JESD-609代码e4
标称负供电电压 (Vsup)-5 V
功能数量1
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源+-5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535V;38534K;883S
座面最大高度5.08 mm
标称压摆率1660 V/us
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术BIPOLAR
温度等级MILITARY
端子面层GOLD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
总剂量300k Rad(Si) V
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

5962F9678501VPC相似产品对比

5962F9678501VPC 5962F9678501VPA
描述 BUFFER AMPLIFIER, CDIP8 BUFFER AMPLIFIER, CDIP8
零件包装代码 DIP DIP
包装说明 DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3
针数 8 8
Reach Compliance Code compli not_compliant
ECCN代码 USML XV(E) EAR99
放大器类型 BUFFER BUFFER
标称带宽 (3dB) 225 MHz 225 MHz
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 25 µA 25 µA
最大输入失调电压 20000 µV 20000 µV
JESD-30 代码 R-GDIP-T8 R-GDIP-T8
JESD-609代码 e4 e0
标称负供电电压 (Vsup) -5 V -5 V
功能数量 1 1
端子数量 8 8
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP DIP
封装等效代码 DIP8,.3 DIP8,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
电源 +-5 V +-5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
筛选级别 38535V;38534K;883S MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm
标称压摆率 1660 V/us 1660 V/us
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 BIPOLAR BIPOLAR
温度等级 MILITARY MILITARY
端子面层 GOLD Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
总剂量 300k Rad(Si) V 300k Rad(Si) V
宽度 7.62 mm 7.62 mm

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