5962F9678501VPC放大器基础信息:
5962F9678501VPC是一款BUFFER。常用的包装方式为DIP, DIP8,.3
5962F9678501VPC放大器核心信息:
5962F9678501VPC的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为:25 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,5962F9678501VPC的标称压摆率有1660 V/us。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,5962F9678501VPC增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为225 MHz。
5962F9678501VPC的标称供电电压为5 V,其对应的标称负供电电压为-5 V。而其供电电源的范围为:+-5 V。5962F9678501VPC的输入失调电压为20000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)5962F9678501VPC的宽度为:7.62 mm。
5962F9678501VPC的相关尺寸:
5962F9678501VPC拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:8
5962F9678501VPC放大器其他信息:
其温度等级为:MILITARY。其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为:e4。5962F9678501VPC的封装代码是:DIP。5962F9678501VPC封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。
而其封装形状为RECTANGULAR。5962F9678501VPC封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
5962F9678501VPC放大器基础信息:
5962F9678501VPC是一款BUFFER。常用的包装方式为DIP, DIP8,.3
5962F9678501VPC放大器核心信息:
5962F9678501VPC的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为:25 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,5962F9678501VPC的标称压摆率有1660 V/us。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,5962F9678501VPC增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为225 MHz。
5962F9678501VPC的标称供电电压为5 V,其对应的标称负供电电压为-5 V。而其供电电源的范围为:+-5 V。5962F9678501VPC的输入失调电压为20000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)5962F9678501VPC的宽度为:7.62 mm。
5962F9678501VPC的相关尺寸:
5962F9678501VPC拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:8
5962F9678501VPC放大器其他信息:
其温度等级为:MILITARY。其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为:e4。5962F9678501VPC的封装代码是:DIP。5962F9678501VPC封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。
而其封装形状为RECTANGULAR。5962F9678501VPC封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
参数名称 | 属性值 |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | USML XV(E) |
放大器类型 | BUFFER |
标称带宽 (3dB) | 225 MHz |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 25 µA |
最大输入失调电压 | 20000 µV |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 |
JESD-609代码 | e4 |
标称负供电电压 (Vsup) | -5 V |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
电源 | +-5 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | 38535V;38534K;883S |
座面最大高度 | 5.08 mm |
标称压摆率 | 1660 V/us |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | BIPOLAR |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | GOLD |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
总剂量 | 300k Rad(Si) V |
宽度 | 7.62 mm |
Base Number Matches | 1 |
5962F9678501VPC | 5962F9678501VPA | |
---|---|---|
描述 | BUFFER AMPLIFIER, CDIP8 | BUFFER AMPLIFIER, CDIP8 |
零件包装代码 | DIP | DIP |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 | DIP, DIP8,.3 |
针数 | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | compli | not_compliant |
ECCN代码 | USML XV(E) | EAR99 |
放大器类型 | BUFFER | BUFFER |
标称带宽 (3dB) | 225 MHz | 225 MHz |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 25 µA | 25 µA |
最大输入失调电压 | 20000 µV | 20000 µV |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 | R-GDIP-T8 |
JESD-609代码 | e4 | e0 |
标称负供电电压 (Vsup) | -5 V | -5 V |
功能数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | DIP | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
电源 | +-5 V | +-5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
筛选级别 | 38535V;38534K;883S | MIL-PRF-38535 Class V |
座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm |
标称压摆率 | 1660 V/us | 1660 V/us |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | NO |
技术 | BIPOLAR | BIPOLAR |
温度等级 | MILITARY | MILITARY |
端子面层 | GOLD | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL |
总剂量 | 300k Rad(Si) V | 300k Rad(Si) V |
宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm |
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